[发明专利]一种激光防伪用掩膜版及其制作方法有效
申请号: | 201811511608.5 | 申请日: | 2018-12-11 |
公开(公告)号: | CN109856907B | 公开(公告)日: | 2023-02-28 |
发明(设计)人: | 李翼;李伟;张诚;徐根 | 申请(专利权)人: | 湖南普照信息材料有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/38;G03F7/16 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 罗满 |
地址: | 410205 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 激光 防伪 用掩膜版 及其 制作方法 | ||
本发明公开了一种激光防伪用掩膜版的制作方法,通过提供透明基板;在所述透明基板表面设置氮氧化铬层;在所述氮氧化铬层表面涂覆光刻胶,所述光刻胶的粘度大于等于50厘泊;对涂覆光刻胶后的透明基板进行前烘处理,所述前烘处理为烘烤温度持续上升的前烘处理,以得到光刻胶层的厚度为100000埃米至300000埃米,包括端点值的激光防伪用掩膜版。本发明通过使前烘处理中的温度逐渐上升,使光刻胶内部的热量有时间扩散到光刻胶外部,确保了烘烤中光刻胶各层溶剂挥发均匀,避免了现有技术中温度直接升至前烘温度导致光刻胶最外层最先干燥成壳,阻碍光刻胶内部溶剂挥发的问题。本发明还提供了一种具有上述有益效果的激光防伪用掩膜版。
技术领域
本发明涉及激光防伪领域,特别是涉及一种激光防伪用掩膜版及其制作方法。
背景技术
随着科学技术的发展,激光防伪技术也在不停进步,激光防伪又称镭射防伪或者激光全息防伪技术,是继激光器于二十世纪六十年代问世之后迅速发展起来的一种立体照相技术,其中的“全息”意为“全部信息”,即相比普通的只记录物体的明暗变化的的照相技术,激光全息照相还能记录物体的空间变化。正是因为它能保存非常丰富的图像信息,难以被仿造,因此被选为制作防伪标志的常用技术。
激光防伪技术一般分为两种:普通版激光防伪技术和光刻版激光防伪技术,其中普通版激光防伪表面看上去是平面,没有折射效果,图像为静态,仅仅是从不同角度上看文字和图案会呈现不同颜色。光刻版激光防伪表面有强烈的折射效果,从不同角度看上去文字和图案呈现不同的颜色,且呈现动态、立体效果。在防伪码制作过程中,需要经过十几乃至几十次的光刻,每次光刻都需要一块光刻掩膜版,每块光刻掩膜版的质量都会影响光刻的质量,因此,光刻掩膜版质量的优劣直接影响光刻图形的质量。
现有的掩膜版制作主要为在玻璃上镀一层铬膜,在涂一层光刻胶。其中铬膜的组成为在玻璃上先堆叠一层纯铬膜,然后再堆叠一层氮氧化铬膜,后续在铬膜层上涂一层厚度在3000-8000埃米的光刻胶层。但该方法在上述掩膜版上涂的光刻胶层太薄,不利于后续模压制作防伪标签。光刻胶层太薄难以制作出激光防伪的浮雕效果、3D动态效果等外观效应,其防伪也比较简单,难以制作复杂精细的标识。
发明内容
本发明的目的是提供一种激光防伪用掩膜版及其制作方法,以解决现有技术中光刻胶层较薄,难以制作复杂精细的标识的问题。
为解决上述技术问题,本发明提供一种激光防伪用掩膜版的制作方法,包括:
提供透明基板;
在所述透明基板表面设置氮氧化铬层;
在所述氮氧化铬层表面涂覆光刻胶,所述光刻胶的粘度大于等于50厘泊;
对涂覆光刻胶后的透明基板进行前烘处理,所述前烘处理为烘烤温度持续上升的前烘处理,以得到光刻胶层的厚度为100000埃米至300000埃米,包括端点值的激光防伪用掩膜版。
可选地,在所述激光防伪用掩膜版的制作方法中,所述前烘处理的温度的范围为100摄氏度至120摄氏度,包括端点值。
可选地,在所述激光防伪用掩膜版的制作方法中,所述前烘处理的持续时间的范围为2小时至3小时,包括端点值。
可选地,在所述激光防伪用掩膜版的制作方法中,所述前烘处理的升温速度的范围为每分钟升高2摄氏度至每分钟升高3摄氏度。
可选地,在所述激光防伪用掩膜版的制作方法中,所述在所述氮氧化铬层表面涂覆光刻胶之前,还包括:
对所述光刻胶在恒温恒湿的环境下进行滚胶和静置处理。
可选地,在所述激光防伪用掩膜版的制作方法中,所述静置处理的时间的范围为10小时至15小时,包括端点值;
所述恒温的温度的范围为18摄氏度至25摄氏度,包括端点值;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南普照信息材料有限公司,未经湖南普照信息材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811511608.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种放射科用取片装置
- 下一篇:一种掩膜版、显示基板及其制备方法和显示装置
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备