[发明专利]一种低触发电压硅控整流器及制备方法

权利要求书

1.一种低触发电压硅控整流器，其特征在于，包括：

第一导电类型的衬底；

第一导电类型的第一阱区和第二导电类型的第二阱区，所述第一阱区和所述第二阱区注入形成于所述衬底；

栅极结构，所述栅极结构形成于所述第一阱区上；

第一导电类型的第一掺杂区和第二导电类型的第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区注入形成于所述第二阱区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区两侧形成有隔离区；

第一导电类型的第三掺杂区和第二导电类型的第四掺杂区，所述第三掺杂区和所述第四掺杂区注入形成于所述第一阱区，所述第三掺杂区两侧形成有隔离区，所述第四掺杂区与所述栅极结构连接；

第二导电类型的外延层，所述外延层形成于所述第一阱区和所述第二阱区的交界处，所述外延层一端与位于所述第二阱区的浅槽隔离区连接，所述外延层另一端与所述栅极结构连接；

注入区，所述注入区形成于所述外延层之下的第一阱区，所述注入区包括间隔设置的第一导电类型的第一子注入区和第二导电类型的第二子注入区，所述第一子注入区和所述第二子注入区的一端均与所述外延层连接；

其中，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区与电流输入端连接，所述栅极结构和所述第三掺杂区与接地端连接。

2.根据权利要求1所述的低触发电压硅控整流器，其特征在于，所述注入区的左右两端均为第一子注入区。

3.根据权利要求1或2所述的低触发电压硅控整流器，其特征在于，所述第一子注入区和所述第二子注入区的宽度相等，宽度在0.8-1.1um之间。

4.根据权利要求1所述的低触发电压硅控整流器，其特征在于，所述栅极结构包括栅极介电层和栅极材料层。

5.根据权利要求1所述的低触发电压硅控整流器，其特征在于，所述外延层越过所述第二阱区的距离为3-4um。

6.一种低触发电压硅控整流器制备方法，其特征在于，包括：

提供第一导电类型的衬底；

在所述衬底注入形成第一导电类型的第一阱区和第二导电类型的第二阱区；

在所述第一阱区和所述第二阱区刻蚀形成多个间隔排列的隔离区；

在所述第一阱区和所述第二阱区的交界处刻蚀形成沟槽，所述沟槽一端与位于所述第二阱区的隔离区连接；

在所述沟槽底部注入形成注入区，所述注入区包括间隔设置的第一导电类型的第一子注入区和第二导电类型的第二子注入区；

在所述沟槽内填充形成外延层，所述第一子注入区和所述第二子注入区的一端均与所述外延层连接；

在所述第二阱区的隔离区之间注入形成第一导电类型的第一掺杂区和第二导电类型的第二掺杂区；

在所述第一阱区的隔离区之间注入形成第一导电类型的第三掺杂区，在所述第一阱区位于所述外延层与所述隔离区之间的区域形成第二导电类型的第四掺杂区，所述第四掺杂区与隔离区连接；

在所述第一阱区之上形成栅极结构，所述栅极结构位于部分所述第四掺杂区以及部分所述外延层之上；

将所述第一掺杂区和所述第二掺杂区与电流输入端连接，将所述栅极结构和所述第三掺杂区与接地端连接。

7.根据权利要求6所述的低触发电压硅控整流器制备方法，其特征在于，所述第一子注入区和所述第二子注入区的浓度相同。

8.根据权利要求6所述的低触发电压硅控整流器制备方法，其特征在于，所述注入区的左右两端均为第一子注入区。

9.根据权利要求6所述的低触发电压硅控整流器制备方法，其特征在于，所述栅极结构的形成包括栅极材料层的形成和栅极介电层的形成。

10.根据权利要求6所述的低触发电压硅控整流器制备方法，其特征在于，所述外延层越过所述第二阱区的距离为3-4um。