[发明专利]半导体激光器及不同折射率腔面膜的制备方法

权利要求书

1.一种半导体激光器不同折射率腔面膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

将半导体激光器的前后两腔面解理，然后放入真空设备中开始膜层沉积；

在半导体激光器的一腔面分别设定二氧化硅和氮化硅需要的气体比例、膜厚和层数，在计算机控制下完成反射膜的制备；

在半导体激光器的另一腔面设定氮化硅需要的气体比例和膜厚，在计算机控制下完成透射膜的制备；

其中，当半导体激光器出光面的等效折射率和激射波长变化时，在不改变膜系设计、膜系内每层的厚度和薄膜材料的基础上，通过改变硅烷和氨气的比例获得不同折射率的氮化硅膜层，来获得相适应的反射膜和透射膜，其中，所述膜系包括反射膜中的二氧化硅/氮化硅膜系和所述透射膜中的氮化硅薄膜；

其中，所述膜层沉积的过程中透射膜的制备为镀制一层氮化硅薄膜，所述氮化硅薄膜的膜厚为激光器激射波长与4倍激光器等效折射率的比值，所述氮化硅薄膜的折射率为激光器等效折射率的平方根，所述膜层沉积过程中腔室内工作压强为100帕，射频功率为60W，对于1310nm波长的半导体激光器，在等效折射率为3.3489时刻，所述氮化硅薄膜的透射率大于99.9％。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器不同折射率腔面膜的制备方法，其特征在于，所述真空设备为化学气相沉积设备，所述化学气相沉积设备为等离子体增强化学气相沉积设备。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器不同折射率腔面膜的制备方法，其特征在于，所述真空设备的真空度小于1×10^-2帕斯卡。

4.根据权利要求1所述的半导体激光器不同折射率腔面膜的制备方法，其特征在于，所述膜层沉积过程中衬底加热并控温在50～400℃。

5.根据权利要求1所述的半导体激光器不同折射率腔面膜的制备方法，其特征在于，所述膜层沉积过程中腔室内工作压强为20～200帕，射频功率为20～200W。

6.根据权利要求1所述的半导体激光器不同折射率腔面膜的制备方法，其特征在于，所述膜层沉积过程中二氧化硅需要的气体及比例为硅烷/一氧化二氮/氮气＝160/260/80sccm，每种气体流量的变化范围为40％。

7.根据权利要求1所述的半导体激光器不同折射率腔面膜的制备方法，其特征在于，所述膜层沉积过程中氮化硅需要的气体及比例为硅烷/氨气/氮气＝200/12/250sccm，每种气体流量的变化范围为40％。

8.根据权利要求1所述的半导体激光器不同折射率腔面膜的制备方法，其特征在于，所述膜层沉积过程中反射膜的制备由二氧化硅和氮化硅交替生长制备，交替生长的对数由反射率决定，每层厚度为激光器激射波长与4倍等效折射率的比值。

9.一种半导体激光器，其特征在于，所述激光器由权利要求1至8中任一所述方法完成制备。