[发明专利]包括桥式晶片的层叠封装

说明书

包括桥式晶片的层叠封装。一种层叠封装包括在垂直方向层叠的多个子封装。所述多个子封装中的每一个包括具有多个垂直互连器的桥式晶片和半导体晶片。设置在包括在所述子封装的第一子封装中的第一桥式晶片中的第一组垂直互连器和与所述第一组垂直互连器连接的其它垂直互连器构成第一电路径，并且设置在包括在所述子封装的第二子封装中的第二桥式晶片中的第二组垂直互连器和与所述第二组垂直互连器连接的其它垂直互连器构成第二电路径。第一电路径和第二电路径彼此电隔离并且被设置成提供两条单独的电路径。

技术领域

本公开总体上涉及半导体封装技术，并且更具体地，涉及包括半导体晶片和桥式晶片的层叠封装。

背景技术

最近，已经在各种电子系统中需要具有高密度且高速操作的半导体封装。另外，已经开发出具有相对小的形状因子的结构的半导体封装。为了实现这种半导体封装，已经对芯片层叠技术集中投入了大量劳力。此外，为了实现厚度减小的半导体封装，已经对晶圆级芯片层叠封装技术集中投入了大量劳力。

发明内容

根据一实施方式，一种层叠封装包括第一子封装至第四子封装。所述第一子封装包括彼此间隔开的第一左桥式晶片、第一半导体晶片和第一右桥式晶片。所述第二子封装层叠在所述第一子封装上，包括彼此间隔开的第二左桥式晶片、第二半导体晶片和第二右桥式晶片。所述第三子封装层叠在所述第二子封装上，包括彼此间隔开的第三左桥式晶片、第三半导体晶片和第三右桥式晶片。所述第四子封装层叠在所述第三子封装上，包括彼此间隔开的第四左桥式晶片、第四半导体晶片和第四右桥式晶片。所述第一左桥式晶片、所述第二左桥式晶片、所述第三左桥式晶片和所述第四左桥式晶片分别包括用于连接的第一左垂直互连器和用于旁路的第一左垂直互连器、用于连接的第二左垂直互连器和用于旁路的第二左垂直互连器、用于连接的第三左垂直互连器和用于旁路的第三左垂直互连器以及用于连接的第四左垂直互连器和用于旁路的第四左垂直互连器。所述第一右桥式晶片、所述第二右桥式晶片、所述第三右桥式晶片和所述第四右桥式晶片分别包括用于连接的第一右垂直互连器和用于旁路的第一右垂直互连器、用于连接的第二右垂直互连器和用于旁路的第二右垂直互连器、用于连接的第三右垂直互连器和用于旁路的第三右垂直互连器以及用于连接的第四右垂直互连器和用于旁路的第四右垂直互连器。所述第四子封装还包括第四左重分布线，所述第四左重分布线将用于连接的所述第四左垂直互连器电连接到所述第四半导体晶片。用于旁路的所述第三左垂直互连器、用于旁路的所述第二左垂直互连器和用于旁路的所述第一左垂直互连器在垂直方向串联连接到用于连接的所述第四左垂直互连器。用于连接的所述第四左垂直互连器以及用于旁路的所述第一左垂直互连器、用于旁路的所述第二左垂直互连器和用于旁路的所述第三左垂直互连器被设置成将所述第一半导体晶片、所述第二半导体晶片和所述第三半导体晶片电旁路。

根据一实施方式，一种层叠封装包括多个子封装。所述多个子封装中的每一个包括：桥式晶片，该桥式晶片包括多个垂直互连器；以及半导体晶片，该半导体晶片被设置成与所述桥式晶片间隔开。所述多个子封装在垂直方向层叠以提供多个电路径，所述多个电路径包括在垂直方向层叠的所述多个垂直互连器。所述多个子封装中的第一子封装还包括第一重分布线，所述第一重分布线将与包括在所述第一子封装中的所述半导体晶片对应的第一半导体晶片与设置在与包括在所述第一子封装中的所述桥式晶片对应的第一桥式晶片中的所述垂直互连器对应的第一垂直互连器电连接。所述多个子封装中的第二子封装还包括第二重分布线，所述第二重分布线将与包括在所述第二子封装中的所述半导体晶片对应的第二半导体晶片与设置在与包括在所述第二子封装中的所述桥式晶片对应的第二桥式晶片中的所述垂直互连器对应的第二垂直互连器电连接。所述电路径中的第一电路径和第二电路径彼此电隔离，以提供两条单独的电路径。所述第一电路径包括所述多个垂直互连器当中的与所述第一垂直互连器在垂直方向连接的第一组垂直互连器。所述第二电路径包括所述多个垂直互连器当中的与所述第二垂直互连器在垂直方向连接的第二组垂直互连器。