[发明专利]忆阻器及其制作方法

权利要求书

1.一种忆阻器，其特征在于，包括衬底以及设置在所述衬底上的间隔的第一电极功能层和第二电极功能层；其中，所述第一电极功能层和所述第二电极功能层之间通过纳米线或纳米带连接以实现电子导通；所述忆阻器还包括设置在所述衬底和所述第一电极功能层之间的第一导电电极、以及设置在所述衬底和所述第二电极功能层之间的第二导电电极；所述忆阻器还包括设置在所述衬底和所述第一导电电极之间的第一电极吸附层、以及设置在所述衬底和所述第二导电电极之间的第二电极吸附层。

2.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，所述第一电极功能层和所述第二电极功能层之间的最小宽度为50nm～50μm。

3.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，所述第一电极功能层和所述第二电极功能层的远离所述衬底的顶面齐平，并且所述纳米线或纳米带的顶面不低于所述第一电极功能层及所述第二电极功能层的顶面。

4.根据权利要求3所述的忆阻器，其特征在于，所述第一电极功能层和所述第二电极功能层的厚度均为1nm～600nm；所述纳米线或纳米带的厚度为1nm～1000nm。

5.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，所述纳米线或纳米带的材料为Ge₂Sb_2-xBi_xTe₅；其中，0≤x≤2。

6.根据权利要求1-5任一所述的忆阻器，其特征在于，所述第一电极功能层和所述第二电极功能层的材料均选自Ag、Cu、Al、Zn、Fe、Mg、Na、Sn中的任意一种。

7.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，所述第一导电电极和所述第二导电电极的材料均选自Pt、Ni、Mn、Mo、Nb、Pd、Ru、RuO₂、Ta、TaN、W、WN、Ti及钛的氧化物中的任意一种；和/或，所述第一导电电极和所述第二导电电极的厚度均为1nm～600nm。

8.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，所述第一电极吸附层和所述第二电极吸附层的材料均选自Cr、Ti、Ni中的任意一种；和/或，所述第一电极吸附层和所述第二电极吸附层的厚度均为0.1nm～100nm。

9.一种如权利要求1-8任一所述的忆阻器的制作方法，其特征在于，包括步骤：

S1、在衬底上制作间隔的第一电极功能层和第二电极功能层；

S2、至少在所述第一电极功能层和所述第二电极功能层之间沉积阻变材料，以形成阻变源层；

S3、采用飞秒激光于所述第一电极功能层和所述第二电极功能层之间的阻变源层上进行划线，在所述第一电极功能层和所述第二电极功能层之间形成纳米线或纳米带；其中，

若要求所述忆阻器的开关比不低于1000，则去除非划线区域的阻变源层；

若要求所述忆阻器的开关比小于1000，则不去除或部分去除非划线区域的阻变源层。