[发明专利]N+区边缘圆弧形结构的P+-I-N+型功率二极管在审
| 申请号： | 201811515840.6 | 申请日： | 2018-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN109509794A | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 程德明;汪骏;江文资 | 申请（专利权）人： | 程德明;黄山市瑞宏电器有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 245600 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率二极管 边缘圆弧 芯片 单晶硅片 反向电压 反向击穿 高温特性 节能节料 结构技术 电力线 软特性 圆弧形 尖角 雪崩 正向 生产成本 升高 生产 | ||
【权利要求书】：
1.一种N+区边缘圆弧形结构的P+-I-N+型功率二极管，其特征在于：其N+区边缘为圆弧形结构，圆弧的半径等于平行N+区的宽度，为50～80um，N+区边缘圆弧与芯片外力成型角相交，相交处深度从阴极的N+平面起算，等于平行N+区宽度的30％～50％。
2.根据权利要求1所述N+区边缘圆弧形结构的P+-I-N+型功率二极管，其特征在于：N+平行区及N+边缘圆弧区采用磷扩散方法形成，对选定为阴极面的单晶硅片进行氧化，在设定的N+平行区终点处对氧化层开窗露出单晶硅片，利用磷源在开窗处进行磷沉积工艺；尔后去除氧化层及多余的磷源，进行磷主扩散工艺，使N+区宽度达到50～80um。
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