[发明专利]电源重启装置及服务器有效

专利信息
申请号: 201811515966.3 申请日: 2018-12-11
公开(公告)号: CN109557993B 公开(公告)日: 2020-06-16
发明(设计)人: 刘坤;褚方杰;詹鹏 申请(专利权)人: 英业达科技有限公司;英业达股份有限公司
主分类号: G06F1/24 分类号: G06F1/24
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 刘翔
地址: 201114 上海市闵*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 电源 装置 服务器
【权利要求书】:

1.一种电源重启装置,应用于服务器,所述服务器包括一具有GPIO接口和I2C接口的BMC,其特征在于,包括:

第一电平节点,其电平由所述BMC的GPIO接口的输出控制;

第二电平节点,其电平由连接所述BMC的I2C接口的I2C IO扩展接口的输出控制;

控制组件,分别与所述第一电平节点和所述第二电平节点连接,还与一开关组件连接,所述控制组件用于根据所述第一电平节点和所述第二电平节点的电平,控制所述开关组件的导通与关断,并在关断所述开关组件预定时间后控制所述开关组件导通;以及,

电源输入端,通过所述开关组件与一电源组件连接,用于输入电源电压,所述电源输入端用于在所述开关组件导通时向所述服务器提供电能以及在所述开关组件关断时切断对所述服务器提供电能。

2.根据权利要求1所述的电源重启装置,其特征在于,当所述第一电平节点和所述第二电平节点均为低电平时,所述控制组件控制所述开关组件导通。

3.根据权利要求2所述的电源重启装置,其特征在于,当所述第一电平节点和所述第二电平节点均为高电平时,所述控制组件控制所述开关组件关断;当所述第一电平节点和所述第二电平节点不同时为高电平时,所述控制组件控制所述开关组件导通。

4.根据权利要求1所述的电源重启装置,其特征在于,所述控制组件包括:

逻辑组件,具有两个逻辑输入端和一个逻辑输出端,所述两个逻辑输入端分别与所述第一电平节点和所述第二电平节点连接,所述逻辑组件用于根据所述两个逻辑输入端的电平,决定所述逻辑输出端的电平;

延时控制组件,第一端与所述逻辑组件的逻辑输出端连接,第二端与所述开关组件连接,第三端与所述电源输入端连接,所述延时控制组件用于根据所述逻辑输出端的电平,决定所述第二端的电平;其中,当所述第一端的电平发生变化时,所述第二端的电平用于使所述开关组件关断,且经过预定时间后,所述第二端的电平反转,用于使所述开关组件导通。

5.根据权利要求4所述的电源重启装置,其特征在于,所述延时控制组件包括:

第一晶体管,所述第一晶体管的控制端用于接入所述逻辑输出端输出的电平,所述第一晶体管的第一端接地,所述第一晶体管的第二端用于接入所述电源输入端输入的电平;

延时电路,所述延时电路的输入端连接所述第一晶体管的第二端;

第二晶体管,所述第二晶体管的控制端连接所述延时电路的输出端,所述第二晶体管的第一端接地,所述第二晶体管的第二端作为所述控制组件的输出端,与所述开关组件连接,并用于接入所述电源输入端输入的电平以及输出所述开关组件所需的电平。

6.根据权利要求5所述的电源重启装置,其特征在于,所述第一晶体管为N-MOS管,所述第一晶体管的控制端为所述N-MOS管的栅极,所述第一晶体管的第一端为所述N-MOS管的源极,所述第一晶体管的第二端为所述N-MOS管的漏极;所述第二晶体管为双N-MOS管,包括第一子N-MOS管和第二子N-MOS管,所述第二晶体管的控制端为所述第一子N-MOS管的栅极,所述第二晶体管的第一端为所述第一子N-MOS管与所述第二子N-MOS管的源极,所述第二晶体管的第二端为所述第二子N-MOS管的漏极;其中,所述第一子N-MOS管的漏极与所述第二子N-MOS管的栅极连接,并用于接入所述电源输入端输入的电平。

7.根据权利要求5所述的电源重启装置,其特征在于,所述第一晶体管为NPN三级管,所述第一晶体管的控制端为所述NPN三级管的基极,所述第一晶体管的第一端为所述NPN三级管的发射极,所述第一晶体管的第二端为所述NPN三级管的集电极;所述第二晶体管为双NPN三级管,包括第一子NPN三级管和第二子NPN三级管,所述第二晶体管的控制端为所述第一子NPN三级管的基极,所述第二晶体管的第一端为所述第一子NPN三级管与所述第二子NPN三级管的发射极,所述第二晶体管的第二端为所述第二子NPN三级管的集电极;其中,所述第一子NPN三级管的集电极与所述第二子NPN三级管的基极连接,并用于接入所述电源输入端输入的电平。

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