[发明专利]聚合物基电介质材料及薄膜电容器有效
| 申请号： | 201811516279.3 | 申请日： | 2018-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN111303567B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 于淑会;于均益;孙蓉 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | C08L27/16 | 分类号： | C08L27/16;C08K3/30;H01G4/33;H01G4/18 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;吕颖 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 聚合物 电介质 材料 薄膜 电容器 | ||
【权利要求书】：
1.一种聚合物基电介质材料，其特征在于，包括聚合物基体及均匀填充在所述聚合物基体中的电介质填料；所述电介质填料是由O原子替换ZnS晶体中的部分S原子形成等电子陷阱结构而获得，所述电介质填料的化学式为ZnS0.8O0.2或ZnS0.6O0.4；在所述聚合物基电介质材料中，所述电介质填料的体积百分数为2.53％。
2.根据权利要求1所述的聚合物基电介质材料，其特征在于，所述聚合物基体为热塑性材料或热固性材料。
3.一种薄膜电容器，其特征在于，包括相对设置的两层电极层、以及夹设于其间的电介质层；其中，所述电介质层的材料为如权利要求1-2任一所述的聚合物基电介质材料。
4.根据权利要求3所述的薄膜电容器，其特征在于，所述电极层的材料为铝、银、铜、金、镍、钛中的任意一种或至少两种形成的合金。
5.根据权利要求3所述的薄膜电容器，其特征在于，所述电介质层的厚度为1nm～100μm；所述薄膜电容器的电击穿强度不低于2000kV/cm，能量密度不低于3J/cm3。
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