[发明专利]一种C波段集成链路微波功率放大器

权利要求书

1.一种C波段集成链路微波功率放大器，其特征在于：包括封装管壳（1），封装管壳（1）内部设置有两级放大电路，封装管壳（1）上设置有与两级放大电路连接的栅极供电端（2）、信号输入端引脚（3）、漏极供电端（4）、信号输出端引脚（5）；

栅极供电端（2）通过微带线（8）接连栅极分压电路（9），通过栅极分压电路（9）给两级放大电路供电；漏极供电端（4）连接漏极电路（10）给两级放大电路供电；

两级放大电路包括前级驱动放大电路和后级放大电路；信号通过信号输入端引脚（3）引入前级驱动放大电路被放大，通过后级放大电路进一步放大后由信号输出端引脚（5）输出；

前级驱动放大电路包括GaN功率放大MMIC芯片（17），后级放大电路包括GaN芯片（7）、两级匹配电路、偏置电路；

所述两级匹配电路包括与GaN芯片（7）的GaN芯片栅极（71）连接的L型第一匹配电路，以及与GaN芯片（7）的GaN芯片漏极（72）连接的L型第二匹配电路；所述L型第一匹配电路包括第一匹配电容（6）和第一键合金丝电感（16），所述L型第二匹配电路包括第二匹配电容（18）和第二键合金丝电感 （161）。

2.根据权利要求1所述的C波段集成链路微波功率放大器，其特征在于：封装管壳（1）内部还集成了偏置电路，偏置电路包括与后级放大电路并联的第一偏置电容（121）和第二偏置电容（122）；以及设置在后级放大电路输出端的隔直电容（123）。

3. 根据权利要求2所述的C波段集成链路微波功率放大器，其特征在于： GaN功率放大MMIC芯片（17）上设置有2个栅极（171）、2个漏极（172）、芯片信号输入端（173）、芯片信号输出端（174）。

4. 根据权利要求3所述的C波段集成链路微波功率放大器，其特征在于： GaN芯片（7）上设置有GaN芯片栅极（71）、GaN芯片漏极（72）。

5.根据权利要求4所述的C波段集成链路微波功率放大器，其特征在于：栅极分压电路（9）包括与GaN功率放大MMIC芯片（17）的栅极（171）连接的第一供电传输线（921），以及与GaN芯片（7）的GaN芯片栅极（71）连接的第二供电传输线（922）；栅极分压电路（9）的第一供电传输线（921）上串联第一分压电阻（911），第二供电传输线（922）上串联第二分压电阻（912）。

6.根据权利要求4所述的C波段集成链路微波功率放大器，其特征在于：漏极电路（10）包括与GaN功率放大MMIC芯片（17）的漏极（172）连接的第三供电传输线（101），以及与GaN芯片（7）的GaN芯片漏极（72）连接的第四供电传输线（102）。

7.根据权利要求4所述的C波段集成链路微波功率放大器，其特征在于：GaN功率放大MMIC芯片（17）的栅极（171）和漏极（172）；以及GaN芯片（7）的GaN芯片栅极（71）和GaN芯片漏极（72）都接入了滤波电容。

8.根据权利要求4所述的C波段集成链路微波功率放大器，其特征在于：所述GaN功率放大MMIC芯片（17）的栅极（171）和漏极（172）；以及GaN芯片（7）的GaN芯片栅极（71）和GaN芯片漏极（72），共用同一个电源。

9.根据权利要求1~8中任一权利要求所述的C波段集成链路微波功率放大器的控制方法，其特征在于：信号从信号输入端引脚（3）输入，传入前级GaN功率放大MMIC芯片（17）的信号输入端（173），然后从信号输出端（174）输出，依次经过由第一匹配电容（6）和第一键合金丝电感（16）组成的L型第一匹配电路，输入GaN芯片（7）的芯片栅极（71），再从GaN芯片（7）的芯片漏极（72）输出，依次经过由第二键合金丝电感（161）和第二匹配电容（18）组成的L型第二匹配电路、垫片（11）、隔直电容（123），最后再传送到信号输出端引脚（5）。

10.根据权利要求9所述的C波段集成链路微波功率放大器的控制方法，其特征在于：栅极电源与栅极供电端（2）相连，再接入到微带线（8），分别到达栅极分压电路（9），分成两路供电，一路通过电阻（911）、第一供电传输线（921），最后传送到前级GaN功率放大MMIC芯片（17）的栅极（171），另外一路依次通过第二供电传输线（922）、第二四分之一波长线（93）、第二偏置电容（122）、串联电阻（912），最后接入到后级的GaN芯片栅极（71）；漏极电源与漏极供电端（4）相连，再接入到漏极电路（10）之后分出两路，一路依次经过第三供电传输线（101）、滤波电容（131）到达GaN功率放大MMIC芯片（17）的漏极（172）；另一路依次经过第四供电传输线（102）、偏置电容（121）、第一四分之一波长线（15）、垫片（11）到达GaN芯片漏极（72）。