[发明专利]一种环形压控振荡器有效

专利信息
申请号: 201811516658.2 申请日: 2018-12-12
公开(公告)号: CN111313891B 公开(公告)日: 2023-08-08
发明(设计)人: 史广达;丁万新;陶晶晶;邓晓东;陈东坡 申请(专利权)人: 上海川土微电子有限公司
主分类号: H03L7/099 分类号: H03L7/099
代理公司: 上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙) 31297 代理人: 崔巍
地址: 201306 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 环形 压控振荡器
【权利要求书】:

1.一种环形压控振荡器,其特征在于:

所述振荡器包括依次连接的偏置产生单元、起振检测单元以及环形振荡器单元,所述偏置产生单元包括电流源Iptat,电流源Iref,MOS管MP0、MP1、MN0以及电阻R,所述起振检测单元包括MOS管MP2、MN1以及互补开关Φ1和Φ2,所述环形振荡器单元包括MOS管MP3、MP4、MP5、MP6、MP7、MP8、MP9、MP10、MN2、MN3、MN4、MN5、MN6、MN7、MN8、MN9、MN10以及反向器INV0、INV1、INV2;

所述偏置产生单元的电流源Iptat和Iref下流到GND,MOS管MP0的栅极和漏极连接,且和电源Iptat和Iref连接,MOS管MP0的源极和电源VDD连接,栅极和MP1的栅极连接,MOS管MP1的源极和电源VDD连接,漏极向下连接电阻R的上端,同时引出频率控制电压Vtune,电阻R的下端连接MOS管MN0的漏极和栅极,MOS管MN0的源极和GND连接;

所述起振检测单元的MOS管MP2的栅极和MP0的栅极连接,源极与电源VDD连接,漏极连接开关Φ1的上端,且引出起振指示电压Vstart,开关Φ1的下端和MOS管MN1的栅极连接,且和开关Φ2上端连接,开关Φ2的下端和MOS管MN1的源极、漏极、GND连接;

所述环形振荡器单元的MOS管MN2的栅极和频率控制电压Vtune连接,源极和GND连接,漏极和MN3的漏极、MP3的栅极、漏极连接;MOS管MN3的栅极和起振指示电压Vstart连接,源极和GND连接;MOS管MP3管的漏极和栅极连接,源极和电源VDD连接;MOS管MP4管的栅极和MP3的栅极连接,源极和电源VDD连接,漏极和MN4的栅极、漏极连接;MOS管MN4的源极与GND连接;MOS管MP5的栅极与MP3、MP4的栅极连接,源极和电源VDD连接,漏极和MOS管MP8的源极连接;MOS管MP8的栅极和MN8的栅极连接,且和MP10、MN10的漏极、反向器INV0的输入端连接,MOS管MP8的漏极和MN8的漏极连接,且和MP9、MP10的栅极连接;MOS管MN8的源极和MN5的漏极连接;MOS管MN5的栅极和MN4的栅极连接,源极和GND相连接;MOS管MP6的栅极和MP3、MP4、MP5的栅极连接,源极和电源VDD连接,漏极与MP9的源极连接;MOS管MP9的漏极和MN10的漏极、MP10和MN10的栅极连接;MOS管MN9的源极和MN6的漏极连接;MOS管MN6的栅极和MN4、MN5的栅极连接,源极和GND连接;MOS管MP7的栅极和MP3、MP4、MP5的栅极连接,源极和电源VDD连接,漏极和MP10相连;MOS管MN10的源极和MN7的漏极连接;MOS管MN7的源极和GND连接;反向器INV0的输出连接INV1的输入且控制开关Φ1;反向器INV1的输出连接INV2的输入且控制开关Φ2;反向器INV2的输出即为振荡器的输出。

2.根据权利要求1所述的环形压控振荡器,其特征在于:所述电流源Iptat与温度成正相关,电流源Iref与温度无关,所述电流源Iptat和Iref由带隙基准电路产生。

3.根据权利要求1所述的环形压控振荡器,其特征在于:所述MOS管MP0、MP1、MP2、MP3、MP4、MP5、MP6、MP7、MP8、MP9、MP10为P沟道MOS管,MOS管MN0、MN1、MN2、MN3、MN4、MN5、MN6、MN7、MN8、MN9、MN10为N沟道MOS管。

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