[发明专利]一种GaN微波功率放大器的匹配方法

权利要求书

1.一种GaN微波功率放大器的匹配方法，其特征在于，包括：

步骤a.找到被测试芯片的芯片负载阻抗；

步骤b．通过将芯片负载阻抗的参数设定入仿真软件中进行阻抗模拟分级匹配；仿真出多级微带线；

（1）．通过仿真软件仿真出将芯片负载阻抗匹配到第一级阻抗值时，所需第一微带线的长宽；

（2）．通过仿真软件仿真出将芯片负载阻抗从第一级阻抗值匹配至第二级阻抗值时，所需第二微带线的长宽；

（4）．通过仿真软件仿真出将芯片负载阻抗从第二级阻抗值匹配至第三级阻抗值时，所需第三微带线的长宽；

（5）．将第一微带线、第二微带线、第三微带线组合后，仿出最佳微带线逐级向上匹配电路；

（6）．第一微带线、第二微带线、第三微带线依次串接，且相邻的第一微带线、第二微带线、第三微带线之间均设置有检测点；

步骤c． 将仿真的微带线逐级向上匹配电路制在测试板上；

步骤d. 测试板上还设置有多个用于微调的调试小方块；

步骤e．通过带有微带线逐级向上匹配电路的测试板对被检测的芯片进行测试。

2.根据权利要求1所述的GaN微波功率放大器的匹配方法，其特征在于：第一微带线、第二微带线、第三微带线的阻抗调节是逐级向上的。

3.根据权利要求1所述的GaN微波功率放大器的匹配方法，其特征在于：步骤b中，第一级阻抗值是5Ω；第二级阻抗值是20Ω；第三级阻抗值是50Ω。

4.根据权利要求3所述的GaN微波功率放大器的匹配方法，其特征在于：仿真的频段是2.7GHz-3.1GHz。

5.根据权利要求1所述的GaN微波功率放大器的匹配方法，其特征在于：调试小方块用于最后的微调，采用贴铜皮与割铜皮的方式进行微调。

6.根据权利要求1所述的GaN微波功率放大器的匹配方法，其特征在于：测试板是PCB板材，测试板的板材厚度是 20mil（500mm）。