[发明专利]功率半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201811517976.0 | 申请日： | 2018-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN109768078A | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 泉州臻美智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/872;H01L21/336;H01L21/329 |
| 代理公司： | 深圳市知顶顶知识产权代理有限公司 44504 | 代理人： | 马世中 |
| 地址： | 362216 福建省泉州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 注入区 上表面 介质层 柱体 功率半导体器件 截止环 外延层 体区 绝缘层 金属场板 向下形成 制备 第一导电类型 连接部垂直 导电类型 电性连接 功率器件 划片道区 邻接 减小 填充 延伸 贯穿 | ||
1.功率半导体器件，其特征在于，其包括：
第一导电类型的外延层，
自所述外延层的上表面向下形成的第二导电类型的注入区，
形成在所述注入区上表面的绝缘层，
自所述外延层的上表面向下形成的N型的截止环，所述截止环包括与划片道区邻接的连接部及与所述连接部垂直且间隔延伸的多个柱体，所述柱体与所述注入区连接，
填充在相邻两个柱体之间且与所述注入区连接的P型的体区，
形成在所述注入区、所述截止环和所述体区的上表面的介质层，所述介质层与所述绝缘层连接，
形成在所述介质层的上表面的金属场板，且所述金属场板贯穿所述介质层依次与所述注入区、所述体区和所述柱体电性连接。
2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述柱体的长度与所述体区的长度相等。
3.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述体区对应的介质层上开设有多个第一通孔，所述金属场板通过所述第一通孔与所述体区电连接。
4.根据权利要求3所述的功率半导体器件，其特征在于，所述截止环对应的介质层上开设有多个第二通孔，所述金属场板通过所述第二通孔与所述柱体电连接。
5.根据权利要求4所述的功率半导体器件，其特征在于，多个第一通孔与多个第二通孔对应排列。
6.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述绝缘层和所述介质层的材质均为氧化硅。
7.一种上述功率半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
步骤S1、准备第一导电类型的外延层，从所述外延层的上表面向下形成第二导电类型的注入区，在所述注入区的上表面形成绝缘层；
步骤S2、自所述外延层的上表面向下形成的N型的截止环，所述截止环包括与划片道区邻接的连接部及与所述连接部垂直且间隔延伸的多个柱体，且所述柱体与所述注入区连接；
步骤S3、在相邻两个柱体之间填充与所述注入区连接的P型的体区；
步骤S4、在所述注入区、所述截止环和所述体区的上表面的形成介质层，且所述介质层与所述绝缘层连接；
步骤S5、在所述介质层的上表面形成金属场板，且所述金属场板贯穿所述介质层依次与所述注入区、所述体区和所述柱体电性连接。
8.根据权利要求7所述的功率半导体器件的制备方法，其特征在于：所述体区的离子浓度为2E15-3E15。
9.根据权利要求7所述的功率半导体器件的制备方法，其特征在于：所述体区的宽度为5-7um，所述柱体的宽度为3-5um。
10.根据权利要求7所述的功率半导体器件的制备方法，其特征在于：在所述步骤S5中，在与所述绝缘层连接处的介质层上刻蚀形成沟槽所述金属场板通过所述沟槽与所述注入区电性连接。
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