[发明专利]一种高频率输出的无死区冷原子干涉仪有效

专利信息
申请号: 201811518260.2 申请日: 2018-12-12
公开(公告)号: CN109631751B 公开(公告)日: 2021-05-14
发明(设计)人: 陈福胜;毛海岑;程俊;邓敏;姚辉彬;郭强;周超 申请(专利权)人: 中国船舶重工集团公司第七一七研究所
主分类号: G01B9/02 分类号: G01B9/02;G01J9/02;G01C19/58
代理公司: 北京律谱知识产权代理事务所(普通合伙) 11457 代理人: 黄云铎
地址: 430223 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 频率 输出 死区 原子 干涉仪
【说明书】:

本申请公开了一种高频率输出的无死区冷原子干涉仪,该干涉仪包括:三维磁光阱;第一组分光器与原子束路径成预定夹角,第一组光阑设置于第一组分光器的边缘、原子束路径的下游,第一组光阑对第一组分光器所分出激光进行遮挡,第二组分光器与第一组分光器正交设置,第二组光阑设置于第二组分光器的边缘、原子束路径的下游,第二组光阑对第二组分光器所分出激光进行遮挡,第三组分光器与第二组分光器和第一组分光器正交设置,第三组光阑设置于第三组分光器的边缘、原子束路径的下游,第三组光阑对第三组分光器所分出激光进行遮挡。通过本申请中的技术方案,减小了等待冷原子团飞出陷俘区域的时间,实现了冷原子干涉仪的无死区测量。

技术领域

本申请涉及冷原子陷俘的技术领域,具体而言,涉及一种高频率输出的无死区冷原子干涉仪。

背景技术

由于在超冷状态下原子的波动性逐渐显现,因此通过将原子制备在超冷状态下使原子物质波产生干涉,进而对原子物质波在抛射路径之中所携带的物理信息进行测量,随着冷原子技术的发展,冷原子干涉仪已经被用来对物理常数、重力加速度、重力梯度、旋转等物理量进行高精度测量。

冷原子干涉仪的工作流程可以分为四个阶段:陷俘阶段,抛射阶段,干涉阶段和干涉信号的探测阶段。由于冷原子干涉仪的特性,在各个阶段对光和磁场的需求均不相同,因此,为了实现各个阶段互不干扰,现有的冷原子干涉仪都是在完成一团冷原子的抛射之后,再进行下一团冷原子的陷俘。考虑到参与干涉的冷原子数量越多,冷原子干涉现象越明显,测量结果也就越精确,因此,会尽量延长陷俘阶段的时间,使干涉仪的测量精度达到较高水准。

而现有技术中,结合冷原子干涉仪的检测效率和检测精度,导致冷原子干涉仪在运行时间段内,一团冷原子完成干涉阶段后,下一团冷原子仍处于陷俘阶段或抛射阶段,这个时间段称为测量死区。理论上可以通过提高冷原子团抛射频率以实现无死区测量,即一个先抛射出来的冷原子团刚完成一个完整的干涉环路时,下一团随后抛射出的冷原子团正要进入干涉环路,但是,此时抛射的冷原子团中原子数量较少,无法提供足够的测量信息,导致冷原子干涉仪的测量精度偏低,同时,考虑到冷原子干涉仪的结构限制,因此,无法通过单纯地提高冷原子团的抛射频率,来实现冷原子干涉仪的无死区测量。

发明内容

本申请的目的在于:提高了冷原子团的抛射频率和冷原子团所包含的冷原子数量,实现了冷原子干涉仪的无死区测量。

本申请的技术方案是:提供了一种高频率输出的无死区冷原子干涉仪,该干涉仪具有两组冷原子团抛射机构,两组冷原子团抛射机构彼此相对进行冷原子团抛射,每组冷原子抛射机构包括:原子发生器,二维磁光阱和三维磁光阱;原子发生器用于生成原子束,并将原子束发送至二维磁光阱;二维磁光阱用于接收原子束,并对原子束中的原子进行冷却;三维磁光阱包括三组分光器和三组光阑,三组分光器以彼此正交方式对向原子束路径中的陷俘区域,每组分光器包括两个分光器,两个分光器彼此相对,以利用各自所分光束对陷俘区域进行照射,其中,第一组分光器与原子束路径成预定夹角,其两个分光器分别对向原子束路径中的陷俘区域,第一组光阑设置于第一组分光器的边缘、原子束路径的下游,第一组光阑对第一组分光器所分出激光进行遮挡,第二组分光器与第一组分光器正交设置,第二组光阑设置于第二组分光器的边缘、原子束路径的下游,第二组光阑对第二组分光器所分出激光进行遮挡,第三组分光器与第二组分光器和第一组分光器正交设置,第三组光阑设置于第三组分光器的边缘、原子束路径的下游,第三组光阑对第三组分光器所分出激光进行遮挡,陷俘区域内设有冷原子团发射区,第一组光阑、第二组光阑和第三组光阑所构成的遮光区域落入冷原子团发射区内。

上述任一项技术方案中,进一步地,还包括:磁光阱控制装置;磁光阱控制装置被配置为,当判定冷原子团进入遮光区域时,开启三维磁光阱的三维冷却光和三维回泵光以俘获下一冷原子团。

上述任一项技术方案中,进一步地,磁光阱控制装置还被配置为:以预设速度由第一三维磁光阱向第二三维磁光阱抛射冷原子团,其中,冷原子团以预设速度被抛射时,在第二三维磁光阱的三维冷却光和三维回泵光关断前,进入第二三维磁光阱的陷俘区域。

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