[发明专利]一种提高异形零件镀膜均匀性的控制方法

权利要求书

1.一种提高异形零件镀膜均匀性的控制方法，其特征在于被镀工件在镀膜过程中进行公转、自转和摆动的复合运动；

被镀工件安装在多自由度工作平台上，所述多自由度工作平台垂直于靶材的轴线做圆周运动，带动被镀工件做公转运动，所述多自由度工作平台夹持直径为600mm，公转速率在10r/min-15r/min；

被镀工件相对于所述多自由度工作平台进行自转 运动，自转速率在15r/min-20r/min；

被镀工件被所述多自由度工作平台夹持工具夹持并在公转运动和自转 运动同时进行摆动运动，工件在水平面绕公转轴作公转运动，同时绕工件中心轴作自转运动，并且在垂直于公转轴的平面内作摆动运动，形成公转、自转、摆动合成运动；以每个间隔摆动度数停留一段 时间继续自由转动镀膜；

半球的膜厚分布公式为：

H(θ)＝λ₁H1(θ)+λ₂H2(θ)+…+λ_nHn(θ)

其中，每个摆角处单独自转镀膜时所得到的各环带的薄膜厚度分布为H1(θ)，H2(θ)...Hn(θ)；

比例因子λ₁、λ₂…λ_n是调整不同摆角处半球自转镀膜时间。

2.根据权利要求1所述的一种提高异形零件镀膜均匀性的控制方法，其特征在于，所述比例因子的选取方式如下：

在所述被镀工件上挖出三条卡槽，将硅片贴入卡槽内，经过所述复合运动镀膜后，将硅片取下，用台阶仪测量硅片表面的薄膜厚度，将该硅片平面上的薄膜厚度等效于半球曲面上的薄膜厚度，测量出半球上的膜厚均匀性，放置晶振仪探头于工件盘中心位置，通过调整不同摆角H(θ)和不同摆角处半球自转镀膜时间λ_n进行反复实验，记录不同工艺参数形成的镀膜厚度。