[发明专利]Ho掺杂的透明氧化钪陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种Ho掺杂的透明氧化钪陶瓷的制备方法，其特征在于它包括以下步骤：

（1）按照质量体积比80～100g:800～1000ml将4N纯度的氧化狄粉体加入浓度为18～22vol.%的电子级稀硝酸中，边加热边搅拌至完全溶解，获得硝酸狄溶液；

（2）按照Ho³⁺ 掺杂浓度为2～4 at.%，将4N纯度的氧化钪粉体和所述硝酸狄溶液加入球磨罐中,然后加入少量4N纯度的氧化铝粉体和4N纯度的氟化锂粉体作为烧结助剂，其中0.05 at.%≤氧化铝掺杂量＜0.2 at.%，氟化锂掺杂量为0.8～1.2 at.%，采用3N纯度氧化铝球磨球为研磨介质以匀速行星球磨混合均匀，得到浆料；

（3）用红外干燥箱将所述浆料充分干燥，然后过筛，得到堆垛性能良好的陶瓷粉体；

（4）将所述陶瓷粉体干压成圆片，然后在马弗炉中以3℃/min的升温速率将温度升至800～1200℃，保温煅烧8～12h，再以3℃/min的降温速率将温度降至室温，接着将圆片放入真空烧结炉中，抽真空保证真空度小于5×10^-3Pa，以5℃/min的升温速率将温度升至1700℃，保温煅烧12h，再以5℃/min的降温速率将温度降至室温，接着将陶瓷圆片放入热等静压烧结炉中，以10℃/min的升温速率将温度升至1750℃，200MPa保温保压烧结2h，再以10℃/min的降温速率将温度降至室温，得到预制体；

（5）将所述预制体放入马弗炉中煅烧退火：以3℃/min的升温速率将温度升至1400～1500℃保温8～12h，再以3℃/min的降温速率将温度降至室温；将退火后得到的样品表面机械抛光即得到Ho掺杂的透明氧化钪陶瓷。

2.根据权利要求1所述的Ho掺杂的透明氧化钪陶瓷的制备方法，其特征在于步骤（2）所述匀速行星球磨的速度为180～240rpm 。

3.根据权利要求1所述的Ho掺杂的透明氧化钪陶瓷的制备方法，其特征在于步骤（3）所述过筛是指过100目筛。

4.根据权利要求1所述的Ho掺杂的透明氧化钪陶瓷的制备方法，其特征在于所述氧化狄粉体、氧化钪粉体、氧化铝粉体和氟化锂粉体各自的平均粒径小于1微米。

5.采用权利要求1～4任意一项所述的方法制备的Ho掺杂的透明氧化钪陶瓷。