[发明专利]薄膜晶体管以及制备方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

基板；

形成在基板上的栅极层；

形成在所述栅极层上的第一绝缘层；

形成在所述第一绝缘层上的有源层；

形成在所述有源层上的图案化的源极和漏极，分别与所述有源层电连接；

形成在所述图案化的源极和漏极上的有机钝化层，所述有机钝化层与所述有源层直接接触；

所述有源层为金属氧化物，所述金属氧化物包括铟的氧化物In₂O₃和第五副族元素的氧化物MO组成的复合氧化物(In₂O₃)a(MO)b，其中，a+b＝1，0.10≤b≤0.50；所述复合氧化物(In₂O₃)_a(MO)_b的晶体类型为微晶；

所述有机钝化层为聚合物有机物材料，所述聚合物有机物材料包括酰亚胺基聚合物、酰胺基聚合物、乙烯醇基聚合物、苯酚基聚合物、丙烯基聚合物、烯丙醚基聚合物、聚乙烯吡咯烷酮、氟基聚合物和聚乙酸乙烯酯中的一种或者多种；

所述有机钝化层用于形成包括公共电极和像素电极的更多层的平坦表面，同时具备平坦层的效果。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述第五副族元素的氧化物MO包含氧化钒、氧化铌和氧化钽中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述有源层包括沟道层和沟道保护层，所述沟道保护层的材料包括铟的氧化物In₂O₃和第五副族元素的氧化物MO组成的复合氧化物(In₂O₃)_a(MO)_b，其中，a+b＝1，0.10≤b≤0.50。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述聚合物有机材料可以是正性或负性的光敏材料。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述有机钝化层的厚度大于或等于10nm，且小于或等于20000nm。

6.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，基于权利要求1-5任一所述的薄膜晶体管，包括：

提供基板；

在所述基板上依次形成栅极层、第一绝缘层和有源层；

在所述有源层上形成源极层和漏极层，通过对所述源极层和漏极层进行刻蚀工艺形成图案化的源极和漏极，所述刻蚀工艺包括湿法刻蚀和干法刻蚀；

在所述图案化的源极和漏极上形成有机钝化层，所述有机钝化层与所述有源层直接接触；

所述有源层包括金属氧化物，所述金属氧化物包括铟的氧化物In₂O₃和第五副族元素的氧化物MO组成的复合氧化物(In₂O₃)_a(MO)_b，其中，a+b＝1，0.10≤b≤0.50；所述复合氧化物(In₂O₃)_a(MO)_b的晶体类型为微晶；

所述有机钝化层为聚合物有机物材料，所述聚合物有机物材料包括酰亚胺基聚合物、酰胺基聚合物、乙烯醇基聚合物、苯酚基聚合物、丙烯基聚合物、烯丙醚基聚合物、聚乙烯吡咯烷酮、氟基聚合物和聚乙酸乙烯酯中的一种或者多种；

所述有机钝化层用于形成包括公共电极和像素电极的更多层的平坦表面，同时具备平坦层的效果；

所述有机钝化层采用打印工艺、光刻工艺或激光刻蚀工艺中的任意一种方式制备。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物采用物理气相沉积工艺、化学气相沉积工艺、原子层沉积工艺、激光沉积工艺或者溶液法工艺中的任意一种工艺方法制备而成。

8.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-5任一所述的薄膜晶体管。