[发明专利]一种非易失存储器控制方法以及装置

说明书

本发明一种非易失存储器控制方法以及装置，本发明涉及非易失存储器领域，所述方法包括：所述控制器接收操作指令，所述控制器接收所述电压检测电路检测电源输入端的目标电压值，所述控制器根据预设的电压值与操作参数的对应关系，调整非易失存储器至预设所述目标电压值对应的目标操作参数，所述控制器根据所述操作参数执行所述操作指令。本发明提供的一种非易失存储器控制方法以及装置，非易失存储器内部的擦除/编程控制器可以根据外接电源电压的变化，对编程操作时的编程模式，以及编程或者擦除操作的单位加压时间进行动态调整，使得非易失存储器始终工作在最高效率，从而提高了用户的工作效率。

技术领域

本发明涉及非易失存储器领域，特别是一种非易失存储器控制方法以及装置。

背景技术

目前非易失存储器的数据是以位的方式保存在存储单元中，对于SLC(Single-Level Cell)来说，一个单元存储一个位，MLC(Multi-Level Cell)是一个单元存储两个位，TLC(Tripple Level Cell)是一个单元存储三个位，这些单元以8个为单位组成一个字节，若干个字节再组成页，非易失存储器以页为单位进行读写数据，以块为单位进行擦除数据。

非易失存储器的工作电压有一个范围，例如3V的非易失存储器工作电压为2.7V～3.8V，1.8V的工作电压为1.65V～2.1V，宽压的非易失存储器工作电压为1.8V～3.6V，非易失存储器内部的电荷泵根据不同的工作电压，可以提供不同的电流，而不同的电流可以满足不同的编程方式，不同的编程方式所需的编程时间也不一样，例如3V的非易失存储器在2.7V电压工作时，内部的电荷泵提供的电流只能满足，在对存储单元进行编程时采用字节编程的工作方式，此时的编程时间为0.8ms，而在3.0V电压工作时，电荷泵提供的电流却能满足以字编程的工作方式对存储单元做编程操作，字编程的编程时间为0.6ms，而在3.3V时，电荷泵提供的电流能满足以双字编程的工作方式对存储单元做编程操作，双字编程的编程时间为0.4ms。

非易失存储器的编程单位加压时间是指，电荷泵施加于存储单元栅极、源极上的电压，使得存储单元的阈值电压绝对值上升，达到存储单元逻辑上由1变0所需的时间，非易失存储器的擦除单位加压时间是指，电荷泵施加于存储单元栅极、源极上的电压，使得存储单元的阈值电压绝对值上升，达到存储单元逻辑上由0变1所需的时间，该单位加压时间也根据工作电压的不同而不同，例如3V的非易失存储器在2.7V电压下做编程或擦除，编程单位加压时间需要1us，擦除单位加压时间需要1ms，在3.0V电压工作，编程单位加压时间只需要0.8us，擦除单位加压时间需要0.8ms，在3.3V电压工作，编程单位加压时间只需要0.6us，擦除单位加压时间需要0.6ms，基于上述原因，非易失存储器可以根据工作电压的不用，进行工作方式的切换，达到高效工作的目的，但在实际应用时，非易失存储器因为需要考虑到最差的情况，所以非易失存储器的出厂配置是考虑到最差情况下给出的配置条件，从而会把编程形式设定为字节编程，把擦除/编程的单位加压时间也设定为最长的时间，即使客户使用的非易失存储器工作电压是在3.0V以上也会只能使用字节编程，导致芯片的工作效率十分低下，资源浪费。

发明内容

鉴于上述问题，本发明提供一种非易失存储器控制方法以及装置，解决了现有技术中对非易失存储器进行编程或者擦除操作时，只能采用最低效率的字节编程方式和最长的单位加压时间的问题。

本发明实施例提供了一种非易失存储器控制方法，所述非易失存储器包括电源输入端、电压检测电路以及控制器，所述电压检测电路连接电源输入端以及所述控制器，所述方法包括：

所述控制器接收操作指令；

所述控制器接收所述电压检测电路检测电源输入端的目标电压值；

所述控制器根据预设的电压值与操作参数的对应关系，调整非易失存储器至预设所述目标电压值对应的目标操作参数；

所述控制器根据所述操作参数执行所述操作指令。