[发明专利]异方性导电膜制造方法及其设备有效
申请号: | 201811520080.8 | 申请日: | 2018-12-12 |
公开(公告)号: | CN109637699B | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 郭子豪 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;H01B13/00 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 异方性 导电 制造 方法 及其 设备 | ||
1.一种异方性导电膜制造方法,其特征在于:所述异方性导电膜制造方法包含步骤:
(a)提供一第一基板,具有多个金属触点;
(b)设置一树脂层于所述第一基板上,并覆盖所述多个金属触点;
(c)提供一压头,具有吸取多个导电粒子的一吸取图案对应于所述多个金属触点设置;
(d)通过所述压头吸取所述多个导电粒子;及
(e)通过所述压头将所述多个导电粒子压入所述树脂层中。
2.如权利要求1所述的异方性导电膜制造方法,其特征在于:所述压头为一磁性压头,所述磁性压头具有多个可调控磁性线圈,所述多个可调控磁性线圈对应于所述吸取图案设置;及所述多个金属触点具有一第一间距,所述多个可调控磁性线圈的一第二间距与所述多个金属触点的所述第一间距相同。
3.如权利要求1所述的异方性导电膜制造方法,其特征在于:所述步骤(e)更包含:将所述压头与所述多个金属触点对位;及通过所述压头加热所述树脂层,使所述树脂层融化,进而使得所述多个导电粒子嵌入到所述树脂层中并对应于所述多个金属触点的一对应位置。
4.如权利要求3所述的异方性导电膜制造方法,其特征在于:所述多个导电粒子嵌入到所述树脂层后,对所述压头进行降温,以使所述树脂层固化;及将所述压头移离所述树脂层。
5.如权利要求1所述的异方性导电膜制造方法,其特征在于:所述异方性导电膜制造方法更包含:提供一第二基板,设置于所述树脂层之上,并对所述第二基板施加一压力,使得所述第二基板通过所述多个导电粒子与所述第一基板的所述多个金属触点电性导通。
6.一种异方性导电膜制造设备,其特征在于:所述异方性导电膜制造设备包含:
一第一基板进料区,配置用以提供一第一基板,所述第一基板具有多个金属触点,所述第一基板更具有一树脂层设置于所述第一基板上,并覆盖所述多个金属触点;
一导电粒子进料区,配置用以提供多个导电粒子;
一压合区,所述第一基板从所述第一基板进料区移动至所述压合区;及
一压头,具有吸取所述 多个导电粒子的一吸取图案对应于所述多个金属触点设置,所述压头从所述导电粒子进料区吸取所述多个导电粒子;及所述压头移动至所述压合区将所述多个导电粒子压入所述树脂层中。
7.如权利要求6所述的异方性导电膜制造设备,其特征在于:所述压头为一磁性压头,所述磁性压头具有多个可调控磁性线圈,所述多个可调控磁性线圈对应于所述吸取图案设置;及所述多个金属触点具有一第一间距,所述多个可调控磁性线圈的一第二间距与所述多个金属触点的所述第一间距相同。
8.如权利要求6所述的异方性导电膜制造设备,其特征在于:所述异方性导电膜制造设备更包含一对位装置,配置用以将所述压头与所述多个金属触点对位;及一加热装置配置用以通过所述压头加热所述树脂层,以使所述树脂层融化,进而使得所述多个导电粒子嵌入到所述树脂层中并对应于所述多个金属触点的一对应位置。
9.如权利要求8所述的异方性导电膜制造设备,其特征在于:所述异方性导电膜制造设备更包含一控制装置,连接所述加热装置;及一温度量测装置,配置用以量测所述压头的温度,以使得当所述加热装置将所述压头加热至一第一温度时,经由所述控制装置停止所述加热装置的加热,以及通过所述温度量测装置测得所述压头停止加热后降温至一第二温度时,将所述压头移离所述树脂层。
10.如权利要求7所述的异方性导电膜制造设备,其特征在于:所述异方性导电膜制造设备另包含:一树脂涂布装置,配置用以在所述第一基板提供于所述压合区时,通过所述树脂涂布装置涂布所述树脂层于所述第一基板上;及一预固化装置,配置用于预固化所述树脂层。
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