[发明专利]透明导电玻璃及其制备方法在审
| 申请号： | 201811520756.3 | 申请日： | 2018-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN109473200A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 刘忠范;单婧媛;陈召龙;高翾 | 申请（专利权）人： | 北京石墨烯研究院;北京大学 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B1/02;H01B1/04;H01B13/00 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 李华;崔香丹 |
| 地址： | 100095 北京市海淀区苏家*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明导电玻璃 金属网络 石墨烯 制备 透明玻璃层 导电网络 石墨烯层 依次层叠 直接生长 保护层 导电层 均匀性 金属 玻璃 生产 | ||
1.一种透明导电玻璃，其特征在于，包括依次层叠的透明玻璃层、金属导电网络层和石墨烯层。
2.根据权利要求1所述的透明导电玻璃，其特征在于，所述金属导电网络层中的金属由铜、镍、银和金中的一种或多种形成。
3.根据权利要求1所述的透明导电玻璃，其特征在于，所述金属导电网络层包括金属纳米线层和/或金属网格层。
4.根据权利要求3所述的透明导电玻璃，其特征在于，所述金属网格层中线宽为2-6μm，相邻线之间间距为50-200μm。
5.一种透明导电玻璃的制备方法，其特征在于，包括：
S1，在玻璃基底表面进行金属网络的制备，形成金属导电网络层；
S2，在覆盖有所述金属导电网络层的玻璃表面生长石墨烯层。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述金属导电网络层为金属纳米线涂覆形成或蒸镀金属网格层形成。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，通过化学气相沉积或等离子体增强化学气相沉积生长石墨烯层。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述化学气相沉积的条件是：温度为1000-1100℃、常压、通入碳源生长30-120min。
9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述等离子体增强化学气相沉积的条件是：发生功率为50-400W、温度为300-800℃、压力小于200Pa、通入碳源生长5-60min。
10.根据权利要求8或9所述的制备方法，其特征在于，所述碳源为甲烷、乙烷、乙烯和乙炔中的一种或多种。
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