[发明专利]具有负反馈电容的IGBT器件及制作方法

权利要求书

1.一种具有负反馈电容的IGBT器件，其特征在于，包括：N型单晶硅、多晶硅电极、P+层、金属层、沟槽形电容的绝缘氧化层、CS电荷存储层、以及半导体的P阱区；

所述多晶硅电极通过所述沟槽形电容的绝缘氧化层与所述CS电荷存储层以及所述N型单晶硅形成沟槽形负反馈电容；

所述沟槽形负反馈电容位于发射极以及集电极之间；

所述多晶硅电极以及所述P+层通过所述金属层与所述半导体的P阱区进行欧姆接触；

所述沟槽形负反馈电容进行充放电时，充放电电流通过所述半导体的P阱区形成压降。

2.根据权利要求1所述的具有负反馈电容的IGBT器件，其特征在于，所述沟槽形负反馈电容为原胞结构。

3.根据权利要求1所述的具有负反馈电容的IGBT器件，其特征在于，所述半导体的P阱区中设置有第一沟槽以及第二沟槽。

4.根据权利要求3所述的具有负反馈电容的IGBT器件，其特征在于，所述第一沟槽中形成所述沟槽形负反馈电容。

5.根据权利要求3所述的具有负反馈电容的IGBT器件，其特征在于，所述第二沟槽中形成米勒电容。

6.一种具有负反馈电容的IGBT器件制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在N型单晶硅表面注入磷，并扩散成CS电荷存储层；

对所述CS电荷存储层进行氧化或CVD淀积工艺形成氧化层，并对所述氧化层光刻、刻蚀，形成沟槽刻蚀氧化物掩蔽膜；

在所述CS电荷存储层以及所述氧化物掩蔽膜间进行沟槽刻蚀；

对所述沟槽进行牺牲氧化，以去除所述沟槽刻蚀损伤以及多余的所述氧化物掩蔽膜，并对所述沟槽进行栅氧化工艺形成栅氧化层；

在所述栅氧化层的外围淀积掺杂栅极多晶硅；

对所述栅极多晶硅进行刻蚀；

在所述CS电荷存储层注入P型杂质并推结形成半导体的P阱区；

通过光刻工艺，在所述半导体的P阱区形成N+源区；

通过光刻工艺，在所述栅极多晶硅上部形成光刻胶掩蔽层，对所述沟槽中的栅极多晶硅进行刻蚀，形成沟槽形电容的多晶硅电极；

腐蚀所述沟槽侧壁的氧化层，形成沟槽形电容的绝缘氧化层；

对所述半导体的P阱区进行P+注入，形成P+层；

对所述多晶硅电极进行溅射金属，刻蚀表面金属，形成所述多晶硅电极以及所述P+层与所述半导体的P阱区进行欧姆接触的金属层；

淀积氧化层，光刻刻蚀，形成所述多晶硅电极与发射极，以及栅极多晶硅与发射极的氧化物绝缘层；

对所述氧化物绝缘层进行淀积金属，形成金属电极。