[发明专利]显示器的制备方法

说明书

本发明提供一种显示器的制备方法，包括如下步骤：像素定义层制备步骤、通孔设置步骤、第一功能层制备步骤、像素有机层制备步骤、第二功能层制备步骤以及电极层制备步骤。本发明的技术效果在于，无需使用精密掩膜版即可制备高像素密度的显示器，节约成本，制作工序简单易行，蒸镀硫层相对于精密掩膜版更易操作，且大大降低清洗维护成本。

技术领域

本发明涉及显示器领域，特别涉及一种显示器的制备方法。

背景技术

有机电致发光器件(organic light-emitting device，OLEDs)由于具有能主动发光、可在低温下工作、发光响应速度快、视角广、效率高、可制作柔性显现器件、驱动电压及能耗低等优点吸引了全球众多显示厂商的目光，被认为下一代的显示技术。

随着新型显示技术的飞速发展，OLED显示器被赋予了更多的期待，例如更广的色域、更高的对比度、更低的能耗、更高的分辨率等。

传统的RGB子像素排列如图1、2所示，使用红绿蓝三基色的三个子像素进行排列，图1为子像素并排排列，图2为子像素pentile排列，即相邻像素共用子像素的排列方式，相对于并排排列而言，材料面积大，降低了工艺难度，同时降低了成本，但是清晰度也会随之降低。

当前主流的OLED生产工艺中，需要使用多套FMM(Fine-Metal-Mask，精密掩膜版)来完成全彩显示器的制备。而FMM的制作、运输、清洗、维护成本都较为高昂，同时高解析度的FMM的制作方法只掌握在少数厂商之中且产能有限。因此需要开发新的高解析度显示器制作技术。

现有的高PPI FMM的技术难点在于为了减小mask的shadow effect，需要超薄mask。而在如此薄的金属片上开孔，并且保证在mask张网后仍然能够使开孔和基板像素区域准确对位是十分困难的。

发明内容

本发明的目的在于，解决现有的OLED生产工艺中，精密掩膜版的制作、运输、清洗、维护成本都较为高昂，在超薄掩膜版上开孔且保证掩膜版张网后依然能够使开孔和基板像素区域准确对位的难度较大等技术问题。

为实现上述目的，本发明提供一种显示器的制备方法，包括如下步骤：S1像素定义层制备步骤，提供一基板，在所述基板上涂布出一像素定义层，包括两个以上像素单元区；S2通孔设置步骤，每一像素单元区内的像素定义层设置三个通孔，分别为第一通孔、第二通孔及第三通孔；S3第一功能层制备步骤，在所述像素定义层上蒸镀出一第一功能层；S4像素有机层制备步骤，依次制备三个亚像素有机层，分别对应三个通孔；S5第二功能层制备步骤，在所述像素功能层上表面蒸镀出一第二功能层；以及S6电极层制备步骤，在所述第二功能层上表面蒸镀出一电极层。

进一步地，所述像素有机层制备步骤，依次包括：S41第一亚像素有机层制备步骤，制备第一亚像素有机层；S42第二亚像素有机层制备步骤，制备第二亚像素有机层；以及S43第三亚像素有机层制备步骤，制备第三亚像素有机层。

进一步地，所述第一亚像素有机层制备步骤，包括：S411第一硫层制备步骤，利用一掩膜版遮挡所述第一通孔及其周围区域，在所述第一功能层上蒸镀出第一硫层，去除所述掩膜版；S412第一像素有机层制备步骤，在所述第一功能层的上表面蒸镀一第一像素有机层材料，得到一第一像素有机层；以及S413第一加热步骤，加热所述基板，使得所述第一硫层蒸发或者升华，所述第一硫层上方的第一像素有机层被剥离，剩余的第一像素有机层即为第一亚像素有机层。

进一步地，所述第二亚像素有机层制备步骤，包括：S421第二硫层制备步骤，利用一掩膜版遮挡所述第二通孔及其周围区域，在所述第一亚像素有机层及所述第一功能层上蒸镀出第二硫层，去除所述掩膜版；S422第二像素有机层制备步骤，在所述第一功能层的上表面蒸镀一第二像素有机层材料，得到一第二像素有机层；以及S423第二加热步骤，加热所述基板，使得所述第二硫层蒸发或者升华，所述第二硫层上方的第二像素有机层被剥离，剩余的第二像素有机层即为第二亚像素有机层。