[发明专利]浅沟槽隔离结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201811522098.1 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN109637972A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 林永璨;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/146;H01L27/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 周阳君 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 浅沟槽 浅沟槽隔离结构 衬底 半导体 负电势 填充体 氧化层 导电 自由电荷 接地 界面处 侧壁 填满 施加 驱动 | ||
1.一种浅沟槽隔离结构，包括：
浅沟槽，形成在接地的半导体衬底中；
氧化层，形成在浅沟槽的侧壁及底部上；以及
导电填充体，形成在氧化层上以填满所述浅沟槽；
其中导电填充体被施加负电势以使得半导体衬底与浅沟槽的界面处的自由电荷在负电势的驱动下通过半导体衬底流向地。
2.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构，其中导电填充体为半导体材料。
3.根据权利要求2所述的浅沟槽隔离结构，其中半导体材料为非晶硅、多晶硅、单晶硅中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构，其中通过接触件向导电填充体施加负电势。
5.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构，其中氧化层为氧化硅。
6.一种图像传感器，包括权利要求1-5中任一项所述的浅沟槽隔离结构，所述图像传感器的半导体衬底内形成有多个光电元件，所述浅沟槽隔离结构形成在所述多个光电元件之间。
7.一种操作根据权利要求6所述的图像传感器的方法，包括：
在光电元件开启之前，为所述导电填充体施加负电势；
当自由电荷在负电势的驱动下通过半导体衬底流向接地之后，断开导电填充体的负电势；
开启光电元件。
8.一种浅沟槽隔离结构，包括：
浅沟槽，形成在接地的半导体衬底中；
第一氧化层，形成在浅沟槽的侧壁及底部上；
电荷储存层，形成在第一氧化层的侧壁及底部上；
第二氧化层，形成在所述电荷储存层的侧壁及底部上；以及
导电填充体，形成在所述第二氧化层上以填满所述浅沟槽；
其中导电填充体被施加正电势，以使得浅沟槽与半导体衬底的界面处的自由电荷在正电势的驱动下隧穿通过第一氧化层而进入并被存储在电荷储存层中。
9.根据权利要求8所述的浅沟槽隔离结构，其中所述第一氧化层的厚度为5埃-20埃。
10.根据权利要求8所述的浅沟槽隔离结构，其中所述第二氧化物的厚度为50埃-500埃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
