[发明专利]触控显示设备及其制备方法有效
申请号: | 201811522191.2 | 申请日: | 2018-12-13 |
公开(公告)号: | CN109659341B | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 李波 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;G06F3/041 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 及其 制备 方法 | ||
提供一种触控显示技术,尤其指一种触控显示设备,所述触控显示设备包括:一有机发光二极管显示面板,包括:一薄膜晶体管背板;一发光层;一封装层;一基底层,设置于所述封装层上;多条第一电极串,沿一第一方向设置于所述基底层上,其中每一多条第一电极串包括多个第一电极单元;多条第二电极串,沿一第二方向且与所述多条第一电极串互相绝缘地交错设置于所述基底层上,每一多条第二电极串包括多个第二电极单元;所述多条第一电极串及所述多条第二电极串设置于同一层,且一第一架桥结构电性连接相邻的第一电极单元或相邻的第二电极单元,达到增加触控感应面积的效果。还提供所述触控显示设备的制造方法。
技术领域
本揭示涉及触控面板技术领域,尤其涉及一种触控显示设备及其制备方法。
背景技术
近年来主动矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示技术快速发展,对应的触控技术也同步跟进,目前配合主动矩阵有机发光二极管显示屏的触控技术主要有外挂式触控薄膜贴合技术和玻璃封装的刚性内嵌式触控面板技术,无论是外挂触控薄膜贴合技术还是玻璃内嵌式触控技术,都存在增加产品厚度影响窄边设计的问题。外挂式触控薄膜贴合技术如图1所示,包括TFT基板10、光学介质层11、薄膜封装层12、光学黏着胶层13、触控薄膜层14、偏光片15、光学黏着胶层16以及盖板玻璃17构成,通过光学黏着胶层13将触控薄膜层14和主动矩阵有机发光二极管显示面板贴合在一起,根据要求不同触控薄膜层14可以放置在偏光片15的上方或者下方,由于增加了贴合次数,贴合公差一般都在0.1毫米以上,所以外挂式触控薄膜贴合技术会增大产品厚度而且不利于窄边框产品设计。
如图2所示,玻璃封装内嵌式主动矩阵有机发光二极管触控技术包括TFT基板20、光学介质层21、封装玻璃层22、触控线路层23、偏光片24、光学黏着胶层25以及盖板玻璃26构成,是在显示屏的封装玻璃层22上制作触控感应线路,然后将封装玻璃层22的一面通过玻璃胶与OLED面板贴合在一起,不需要再单独贴合外挂式触控薄膜。但是这种结构只适合制作刚性的主动矩阵有机发光二极管显示屏,而且产品整体厚度较厚,不适合当前产品轻薄化的发展方向。另外直接在OLED面板上制作触控面板会受到下方OLED面板的信号的干扰,出现触控不灵敏的情况。
因此,有必要提供一种触控显示设备及其制备方法,解决现有技术中增大产品厚度及触控不灵敏的缺陷。
发明内容
为了解决上述技术问题,本揭示在TFE封装层上制作触控感应线路,通过触控线路图案设计和架桥结构将触控电极相互之间的的交互感应区增大,有效增强触控感应信号,从而相对减弱了触控面板下方来自OLED面板的干扰,以克服上述缺陷。
为了达到上述目的,本揭示提供一种触控显示设备及其制备方法,所述触控面板显示设备,包括:一有机发光二极管显示面板,所述有机发光二极管显示面板包括:一薄膜晶体管背板;一发光层,设置于所述薄膜晶体管背板上;一封装层,设置于所述发光层上;一基底层,所述基底层设置于所述封装层上;多条第一电极串,沿一第一方向设置于所述基底层上,其中每一多条第一电极串包括多个第一电极单元;以及与一多条第二电极串,沿一第二方向且与所述多条第一电极串互相绝缘地交错设置于所述基底层上,其中每一多条第二电极串包括多个第二电极单元;其中所述多条第一电极串及所述多条第二电极串设置于同一层,且一第一架桥结构电性连接相邻的第一电极单元或相邻的第二电极单元。
根据本文描述的触控显示设备的一实施例,所述第一架桥结构电性连接相邻的第一电极单元,所述第二电极单元还包括位于所述第二电极单元内部的一第三电极,所述第一架桥结构电性连接所述第三电极与所述第一电极单元,以及所述第一电极单元还包括位于所述第一电极单元内部的一第四电极,一第二架桥结构电性连接所述第四电极与所述第二电极单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的