[发明专利]存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元有效

专利信息
申请号: 201811523596.8 申请日: 2018-12-13
公开(公告)号: CN111326186B 公开(公告)日: 2022-05-31
发明(设计)人: 林纬;许祐诚;陈思玮;杨宇翔 申请(专利权)人: 群联电子股份有限公司
主分类号: G11C8/10 分类号: G11C8/10
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 罗英;臧建明
地址: 中国台湾*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 存储器 控制 方法 存储 装置 控制电路 单元
【权利要求书】:

1.一种存储器控制方法,用于可复写式非易失性存储器模块,其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个存储单元,所述存储器控制方法包括:

经由第一读取电压电平从所述多个存储单元中的第一存储单元读取第一数据;

由解码电路解码所述第一数据;

经由第二读取电压电平从所述第一存储单元读取第二数据,其中所述第二读取电压电平不同于所述第一读取电压电平;

根据所述第一数据的第一数据状态与所述第二数据的第二数据状态获得对应于所述第一存储单元的可靠度信息,其中所述第一数据状态与所述第二数据状态反映所述第一数据的第一比特值不同于所述第二数据的第二比特值;以及

由所述解码电路根据所述可靠度信息解码所述第二数据,

其中所述可靠度信息反映所述解码电路对所述第二数据进行解码的信心度,其中所述信心度反映数据比特被解码为1或0的机率。

2.根据权利要求1所述的存储器控制方法,其中根据所述第一数据的所述第一数据状态与所述第二数据的所述第二数据状态获得对应于所述第一存储单元的所述可靠度信息的步骤包括:

根据所述第一数据状态与所述第二数据状态评估所述第一存储单元的电压位置;以及

根据所述电压位置获得对应于所述第一存储单元的所述可靠度信息。

3.根据权利要求2所述的存储器控制方法,其中根据所述电压位置获得对应于所述第一存储单元的所述可靠度信息的步骤包括:

根据所述第一读取电压电平与第三读取电压电平之间的电压差获得对应于所述第一存储单元的所述可靠度信息,其中所述第三读取电压电平所对应的读取错误率低于所述第一读取电压电平所对应的读取错误率。

4.根据权利要求3所述的存储器控制方法,其中根据所述第一读取电压电平与所述第三读取电压电平之间的所述电压差获得对应于所述第一存储单元的所述可靠度信息的步骤包括:

获得对应于所述第三读取电压电平的可靠度信息;以及

根据所述电压差与对应于所述第三读取电压电平的所述可靠度信息获得对应于所述第一存储单元的所述可靠度信息。

5.根据权利要求1所述的存储器控制方法,还包括:

经由预设读取电压电平从所述第一存储单元读取初始数据;

经由所述解码电路解码所述初始数据;

若所述初始数据未被成功地解码,进入重试模式;

在所述重试模式中,发送第一读取指令序列以指示经由所述第一读取电压电平从所述第一存储单元读取所述第一数据;以及

在所述重试模式中,发送第二读取指令序列以指示经由所述第二读取电压电平从所述第一存储单元读取所述第二数据。

6.根据权利要求5所述的存储器控制方法,还包括:

对应于所述第一读取指令序列的发送,更新重试计数。

7.根据权利要求6所述的存储器控制方法,还包括:

判断所述重试计数是否符合第一条件,其中获得对应于所述第一存储单元的所述可靠度信息的操作仅在所述重试计数符合所述第一条件时执行;以及

若所述重试计数符合第二条件,结束所述重试模式。

8.根据权利要求5所述的存储器控制方法,其中所述预设读取电压电平、所述第一读取电压电平及所述第二读取电压电平中两个彼此相邻的电压电平之间存在第一电压差,所述预设读取电压电平、所述第一读取电压电平及所述第二读取电压电平中另两个彼此相邻的电压电平之间存在第二电压差,且所述第一电压差不同于所述第二电压差。

9.根据权利要求1所述的存储器控制方法,其中所述第一存储单元的电压位置介于所述第一读取电压电平与所述第二读取电压电平之间。

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