[发明专利]一种可调膜厚度的高分子薄膜的制备方法有效
申请号: | 201811523747.X | 申请日: | 2018-12-12 |
公开(公告)号: | CN109628974B | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 黄浩潮;欧阳江林;陈贤帅 | 申请(专利权)人: | 佛山市安齿生物科技有限公司 |
主分类号: | C25D9/02 | 分类号: | C25D9/02 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 谢泳祥 |
地址: | 528000 广东省佛山市南海区桂城街道*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 可调 厚度 高分子 薄膜 制备 方法 | ||
本发明公开了一种可调膜厚度的高分子薄膜的制备方法,其包括如下工艺步骤:采用三电极恒伏安法,以经抛光处理后的钛片电极为工作电极,以铂电极为对电极,以Ag/AgCl电极为参比电极,控制工作电极与对电极相对距离为5cm,控制电化学用高分子溶液的pH为4.5~5.0,往电化学电解池装置倒入电化学用高分子溶液,施加电压,电沉积处理0.5~5min,冲洗、烘干,得高分子薄膜;所述电化学用高分子溶液选自浓度为0.5~0.8%的壳聚糖溶液或浓度为0.3~0.5%的聚乙二醇水溶液。本发明采用电化学沉积高分子薄膜,设备简单,简化了制备过程,通过控制通电参数,一步到位制备出膜结构均匀、致密、膜厚度可调的高分子薄膜。
技术领域
本发明涉及高分子材料领域,特别涉及一种高分子薄膜。
背景技术
随着科学技术的高速发展以及高分子材料本身具有的优势,高分子薄膜越来越受到广泛的关注,特别是在医学、食品、化工等领域,如壳聚糖具有良好的生物相容性,生物可降解性及无毒副作用,其薄膜可用于医用缝合线、创面敷料以及组织工程多孔支架中;如聚乙二醇具有良好的水溶性,无毒、无刺激性,并与许多无机、有机物有良好的相溶性,使得聚乙二醇基聚合物常被作为药物载体、创伤敷料和组织修复材料等应用于医药领域。
而传统的高分子薄膜制备方法,或通过添加交联剂、粘接剂、引发剂等,利用紫外光照、热旋涂、静电纺丝等方法制得;或通过物理方法,如拉伸/提拉-浸泡凝固浴、静电力吸附成膜等制得。但这些方法或多或少有着添加剂的残余或设备、工艺较为复杂的缺陷,又或存在薄膜厚度难以控制的缺陷。如专利申请号为CN201510583672.4的专利申请公开了一种淀粉/壳聚糖复合薄膜的吹塑成型制备方法及专利申请号为CN201610921722.X的专利申请公开了壳聚糖薄膜的制备方法及壳聚糖薄膜,两者均使用了添加剂,且无法避免添加剂的残余的问题,同时,两项专利申请仍然存在制备工艺较复杂的问题。
目前,电化学沉积工艺在国内已较为成熟,且设备较为简单,能一步到位制备所需薄膜,且可以通过控制通电参数(如电压、电流、通电时间等)控制薄膜厚度,但国内将其应用于高分子薄膜制备方面的研究并不多。
发明内容
本发明的目的在于针对上述现有技术的不足,提供一种高分子薄膜的制备方法,其使得该高分子薄膜的厚度可调。
本发明所采取的技术方案是:一种可调膜厚度的高分子薄膜的制备方法,其包括如下工艺步骤:采用三电极恒伏安法,以经抛光处理后的钛片电极为工作电极,以铂电极为对电极,以Ag/AgCl电极为参比电极,控制工作电极与对电极相对距离为5cm,控制电化学用高分子溶液的pH为4.5~5.0,往电化学电解池装置倒入电化学用高分子溶液,施加电压,电沉积处理0.5~5min,纯水冲洗、烘干,得高分子薄膜;
所述电化学用高分子溶液选自浓度为0.5~0.8%的壳聚糖溶液或浓度为0.3~0.5%的聚乙二醇水溶液。
作为上述方案的进一步改进,当电化学用高分子溶液为浓度为0.5~0.8%的壳聚糖溶液时,所述电压为1~3V。具体地,通过控制电压参数和通电时间,可使壳聚糖薄膜厚度达到纳米级。
作为上述方案的进一步改进,当电化学用高分子溶液为浓度为0.3~0.5%的聚乙二醇水溶液时,所述电压为-1.5~-1V。具体地,通过控制电压参数和通电时间,可使聚乙二醇薄膜厚度达到纳米级。
作为上述方案的进一步改进,浓度为0.3~0.5%的聚乙二醇水溶液中还添加有浓度为0.3~0.5%的氯化镁。具体地,溶液中的Mg2+可促进聚乙二醇膜较均匀地沉积在钛片上。
作为上述方案的进一步改进,所述浓度为0.5~0.8%的壳聚糖溶液的制备方法为将壳聚糖溶于体积分数为0.6~1%的醋酸溶液中,搅拌2h。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山市安齿生物科技有限公司,未经佛山市安齿生物科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811523747.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。