[发明专利]含硅膜的蚀刻方法、计算机存储介质和含硅膜的蚀刻装置

权利要求书

1.一种含硅膜的蚀刻方法，其是对基板上的含硅膜进行蚀刻的方法，其特征在于，

从喷头向所述含硅膜以使所述含硅膜的中心部和外周部处的流量相同的方式对该含硅膜的整个表面均匀地供给含有小于ClF₃的分子量的含氟气体的蚀刻气体，该喷头具有比所述基板的直径大的直径，

通过对所述蚀刻气体的流速进行控制，来对所述含硅膜的中心部和外周部的蚀刻量进行控制。

2.根据权利要求1所述的含硅膜的蚀刻方法，其特征在于，

向蚀刻条件设定用的基板上的所述含硅膜供给所述蚀刻气体而对该含硅膜进行蚀刻，

之后，对已蚀刻的所述含硅膜的蚀刻量的面内分布进行测定，

之后，基于所测定的所述蚀刻量的面内分布对所述蚀刻气体的流速进行设定。

3.根据权利要求1所述的含硅膜的蚀刻方法，其特征在于，

基于与所述含硅膜的蚀刻不同地进行的其他工序之后的、该含硅膜的状态对所述蚀刻气体的流速进行控制。

4.根据权利要求3所述的含硅膜的蚀刻方法，其特征在于，

所述其他工序是在蚀刻前所进行的工序，

基于所述含硅膜的状态对所述蚀刻气体的流速进行前馈控制。

5.根据权利要求3所述的含硅膜的蚀刻方法，其特征在于，

所述其他工序是在蚀刻后所进行的工序，

基于所述含硅膜的状态对所述蚀刻气体的流速进行反馈控制。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的含硅膜的蚀刻方法，其特征在于，

所述蚀刻气体的流速的控制是通过对所述蚀刻气体的流量或蚀刻所进行的处理空间的压力进行控制来进行的。

7.根据权利要求1～5中任一项所述的含硅膜的蚀刻方法，其特征在于，

所述含氟气体的分子量是38以下。

8.根据权利要求1～5中任一项所述的含硅膜的蚀刻方法，其特征在于，

所述含硅膜是硅锗膜，

所述蚀刻气体含有对所述硅锗膜进行蚀刻的F₂气体。

9.根据权利要求1～5中任一项所述的含硅膜的蚀刻方法，其特征在于，

所述含硅膜是硅膜，

所述蚀刻气体含有对所述硅膜进行蚀刻的F₂气体和碱性气体。

10.根据权利要求1～5中任一项所述的含硅膜的蚀刻方法，其特征在于，

从所述基板的上方向所述含硅膜供给所述蚀刻气体，并且，从所述基板的侧方且下方排出所述蚀刻气体。

11.一种计算机存储介质，其是储存有程序的可读取的计算机存储介质，该程序在对蚀刻装置进行控制的控制部的计算机上动作，以利用该蚀刻装置执行权利要求1～10中任一项所述的蚀刻方法。

12.一种含硅膜的蚀刻装置，其是对基板上的含硅膜进行蚀刻的装置，其特征在于，

该含硅膜的蚀刻装置具有：

腔室，其收容所述基板；

供气部，其从喷头向所述含硅膜以使所述含硅膜的中心部和外周部处的流量相同的方式对该含硅膜的整个表面均匀地供给含有小于ClF₃的分子量的含氟气体的蚀刻气体，该喷头具有比所述基板的直径大的直径；

排气部，其排出所述腔室内的所述蚀刻气体；以及

控制部，其对所述供气部和所述排气部进行控制，

所述控制部对所述蚀刻气体的流速进行控制来对所述含硅膜的中心部和外周部的蚀刻量进行控制。