[发明专利]一种TFT驱动背板有效
申请号: | 201811524346.6 | 申请日: | 2018-12-13 |
公开(公告)号: | CN109585516B | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
发明(设计)人: | 赵加湘;程文锦;贾可然 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 tft 驱动 背板 | ||
本发明实施例公开了一种TFT驱动背板,从上至下依次包括次数据线、第一绝缘层、电容上极板、第二绝缘层和电容下极板,其特征在于所述电容上级板的侧部设置有一缺口,所述缺口处被所述第一绝缘层向上填充,并且填充所述缺口处的第一绝缘层设置有一竖直向下延伸直至所述电容下极板的第一过孔。通过,将次数据线与电容下极板连接的位置移开至非电容上极板处,不需在电容中心位置打孔,不需要两次开孔对位,降低了光刻工艺的对位精度要求极高,且有效避免两次开孔对位偏差容易造成电容短路,提高了产品良率;同时通过设计余量及单向偏移,可避免电容短路,并增加有效电容面积。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种TFT驱动背板。
背景技术
柔性OLED因其广色域、高对比度、大视角、反应速率快、轻薄等优势而逐渐呈现出取代TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示屏)的趋势。在手机、手表、Pad等应用领域,随着消费者对大屏的钟爱,屏幕的屏占比要求越来越高。OLED最具有明显的优势是可以通过PI制程工艺形成柔性的屏体。
对于主动有机发光二极体(AMOLED)来说,一般采用LTPS工艺形成OLED所需的TFT(薄膜晶体管)驱动背板,常用的驱动电路如图1所示为7T1C驱动电路。
如图2所示,其图示了目前业界常用的电路设计7T1C驱动电路LTPS器件的局部开孔结构,包括第一过孔8、第二过孔9、第三过孔10、第四过孔11、第五过孔12、第六过孔13、第七过孔14、第八过孔15。
其中以第一过孔8为例,所述第一过孔8用于连接SD(次数据线)和电容下极板4(GE1),在制程过程中需要开两次孔,第一次开孔是在电容正上方进行,需要在电容上极板3(GE2)上开孔,同时在完成ILD(绝缘层)成膜后再一次开孔以形成第一开孔6,而第二开孔7位于第一开孔6的内部。
其截面图如图3所示,为连接次数据线(1SD)和电容下极板5在制程过程中需要在电容正上方开两次孔,第一次需要将第一绝缘层2(ILD)及电容上极板3开孔,第二开孔7位于第一开孔6的内部,第二开孔7孔底为电容上极板3上表面。由于需要开两次孔,如果第二开孔7与第一开孔6对位出现微小偏差,将会导致电容下极板5和电容上极板3的将会形成短路,因此对于光刻工艺(PH)和蚀刻工艺(Etch)要求极高,且第一开孔6的直径设计要求一定足够大,而第二开孔7尽量小,如果第一开孔6的孔太大,造成电容面积减小;在改电路设计中,只有第一开孔6需要两次对位,因此对PH和Etch开孔对位的精度要求极为严格。
如图4所示,设计电容下极板5宽边为12μm,电容下极板5长边为20μm,电容下极板5的面积为12*20μm2,第一开孔6的直径为6μm,第二开孔7的直径为2μm,实际第一开孔6和第二开孔7之间的偏差距离(CD)为2μm,当PH覆盖大于1.5μm后,可能就造成电容短路。
发明内容
本发明提出一种TFT驱动背板,以解决现有技术为连接次数据线和电容下极板在电容中心位置打孔,且需要两次开孔对位,对光刻工艺的对位精度要求极高,且对位偏差容易造成电容短路,产品良率低;同时改善因光刻工艺造成的有效电容面积损失。
为了实现上述目的,本发明采用了如下的技术方案:
本发明的一实施例中,提供一种TFT驱动背板,从上至下依次包括次数据线、第一绝缘层、电容上极板、第二绝缘层和电容下极板。其中所述电容上级板的侧部设置有一缺口,所述缺口处被所述第一绝缘层向上填充,并且填充所述缺口处的第一绝缘层设置有一竖直向下延伸直至所述电容下极板的第一过孔。
进一步的,其中所述缺口位于所述电容上极板边角处。
进一步的,其中所述缺口为正方形。
进一步的,其中所述正方形的边长为3~6μm。
进一步的,其中所述正方形的边长为4μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的