[发明专利]一种氟掺杂的疏水类金刚石薄膜制备方法在审
| 申请号： | 201811524521.1 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN109402576A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 史旭;徐瑶 | 申请（专利权）人： | 纳峰真空镀膜（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32;C23C14/06;C23C14/35;C23C14/14 |
| 代理公司： | 北京连城创新知识产权代理有限公司 11254 | 代理人： | 刘伍堂 |
| 地址： | 201700 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜层 氟掺杂 基材 制备 类金刚石薄膜 镀膜技术 疏水 耐磨性 疏水性 含氟 磁控溅射镀膜 类金刚石涂层 保护性能 高耐磨性 金属底层 高耐磨 防腐 滴水 | ||
1.一种氟掺杂的疏水类金刚石薄膜制备方法，包括基材、底层、TAC薄膜层、含氟TAC层，其特征在于：具体步骤如下：
S1：在基材的表面使用磁控溅射镀膜方式镀一层金属底层；
S2：在底层的表面使用FCVA镀膜技术镀一层高耐磨性的TAC薄膜层；
S3：在TAC薄膜层的表面使用FCVA镀膜技术镀一层含氟TAC薄膜层。
2.根据权利要求1所述的一种氟掺杂的疏水类金刚石薄膜制备方法，其特征在于：所述的基材为不锈钢、铝等金属，以及PC、橡胶等非金属材料中的一种。
3.根据权利要求1所述的一种氟掺杂的疏水类金刚石薄膜制备方法，其特征在于：所述的底层为使用磁控溅射方式沉积的金属附着层。
4.根据权利要求1所述的一种氟掺杂的疏水类金刚石薄膜制备方法，其特征在于：所述的TAC薄膜层为非晶四面体碳薄膜。
5.根据权利要求1所述的一种氟掺杂的疏水类金刚石薄膜制备方法，其特征在于：所述的含氟TAC层为氟掺杂的类金刚石碳膜，并且含氟TAC层的表面滴水角大于110°。
6.此含氟TAC层是通过FCVA镀膜技术，使用石墨靶，在真空室中掺入CF4或C2F6或C3F8等含氟气体，通过离子轰击使气体电离分解，并在产品表面形成一层含氟的类金刚石薄膜，实现薄膜的氟掺杂效果。
7.根据权利要求1所述的一种氟掺杂的疏水类金刚石薄膜制备方法，其特征在于：所述的FCVA镀膜技术为过滤阴极真空电弧镀膜技术。
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