[发明专利]一种在非连续导电膜上电沉积WO3薄膜的方法

权利要求书

1.一种在非连续导电膜上电沉积WO₃薄膜的方法，其特征在于包括以下步骤：

1)利用磁控溅射技术在PET薄膜表面溅射WO₃，得WO₃/PET膜；

2)通过静电纺丝获得PVA纳米纤维网，在所述PVA纳米纤维网的表面形成金属银包覆，去除PVA模板得到纳米槽导电网格并将其转移至步骤1)所得的WO₃/PET膜上，得复合薄膜；

3)在步骤2)所得的复合薄膜上磁控溅射WO₃顶级层，形成三明治结构的透明导电基底；

4)采用电化学沉积法在三明治结构的透明导电基底制备WO₃变色层，完成在非连续导电膜上电沉积WO₃薄膜。

2.如权利要求1所述一种在非连续导电膜上电沉积WO₃薄膜的方法，其特征在于在步骤1)中，所述在PET薄膜表面溅射WO₃，WO₃预溅射的厚度为10～50nm。

3.如权利要求1所述一种在非连续导电膜上电沉积WO₃薄膜的方法，其特征在于在步骤2)中，所述去除PVA模板得到纳米槽导电网格的具体方法为：通过静电纺丝的方法得到PVA纳米纤维网，再放入磁控溅射仪，通过磁控溅射在所述PVA纳米纤维网表面沉积金属Ag，由于磁控溅射角度设置，Ag溅射在PVA纳米纤维的圆柱面的一半，浸水去除PVA模板后，得到纳米槽导电网格。

4.如权利要求1所述一种在非连续导电膜上电沉积WO₃薄膜的方法，其特征在于在步骤3)中，所述在步骤2)所得的复合薄膜上磁控溅射WO₃形成三明治结构的透明导电基底是W/Ag NTs/W/PET组成的三明治导电基底，所述三明治结构中的金属材料为Cu,Al,Au金属。

5.如权利要求4所述一种在非连续导电膜上电沉积WO₃薄膜的方法，其特征在于所述三明治结构的透明导电基底由任意柔性透明薄膜和超细超长Ag纳米槽导电网格组成，所述柔性透明薄膜在透光率不低于80％的情况下，方阻值达到6Ω/sq。

6.如权利要求5所述一种在非连续导电膜上电沉积WO₃薄膜的方法，其特征在于所述柔性透明薄膜选自高分子聚合物薄膜、纸张、柔性纤维中的一种；所述超细超长Ag纳米槽导电网格通过磁控溅射技术得到。

7.如权利要求1所述一种在非连续导电膜上电沉积WO₃薄膜的方法，其特征在于在步骤3)中，所述WO₃顶级层的高度为30～50nm，电导率为10～10^-6S cm^-1。

8.如权利要求1所述一种在非连续导电膜上电沉积WO₃薄膜的方法，其特征在于在步骤4)中，所述采用电化学沉积法在三明治结构的透明导电基底制备WO₃变色层是通过电化学沉积法在三明治结构的W/Ag NTs/W/PET基底上制备WO₃电致变色层，经过多次循环稳定性测试后变色窗口稳定在～70％。

9.如权利要求1所述一种在非连续导电膜上电沉积WO₃薄膜的方法，其特征在于在步骤4)中，所述电化学沉积法为脉冲电沉积方法，其脉冲电压参数为-1～0V，间歇时间为0.8～2.0s，所制备的钨酸在间歇时间内转化为WO₃，先形成岛状的结构，然后通过尖端电荷聚集效应，在顶部沉积WO₃，最后形成纳米片的结构。

10.如权利要求9所述一种在非连续导电膜上电沉积WO₃薄膜的方法，其特征在于所述脉冲电沉积的条件是在亲水的基底表面进行，其接触角须小于50°，所述脉冲电沉积所制备的WO₃为纳米片状的多孔结构，其厚度在1～2μm，所制备的流程在不同的柔性基底表面构筑，经过不同比例的裁剪，贴合于不同的曲面而不影响其性能，应用于变色眼镜，变色窗以及变色皮肤。