[发明专利]半导体存储器装置

说明书

一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：多条位线，其电联接到存储器单元阵列，并且在第一方向上延伸；多个位线触点焊盘，其形成在基板上方的第一平面上，并且分别通过位线触点联接到多条位线；以及多个第一触点焊盘，其形成在第一平面上，分别通过再分配线联接到多个位线触点焊盘，并且通过第一触点电联接到设置在基板上的页缓冲器电路，其中，在与第一方向交叉的第二方向上设置成一行的至少两个位线触点焊盘所对应的至少两个第一触点焊盘在第一方向上设置成一行。

技术领域

本公开的各种实施方式总体上涉及半导体存储器装置。具体地，实施方式涉及一种半导体存储器装置的布线结构。

背景技术

近年来，根据信息通信装置的多功能性，对大容量和高集成度半导体存储器装置的需求不断增加。结果，包括在半导体存储器装置中的用于半导体存储器装置的操作和电联接的逻辑电路和布线的结构变得更复杂。因此，需要具有优异电特性的半导体存储器装置。

发明内容

在本发明的实施方式中，提供了一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置可包括：多条位线，其电联接到存储器单元阵列并在第一方向上延伸；多个位线触点焊盘，其形成在基板上方的第一平面上并分别通过位线触点联接到多条位线；以及多个第一触点焊盘，其形成在第一平面上，分别通过再分配线联接到多个位线触点焊盘，并通过第一触点电联接到设置在基板上的页缓冲器电路。在与第一方向交叉的第二方向上设置成一行的至少两个位线触点焊盘所对应的至少两个第一触点焊盘可在第一方向上设置成一行。

根据本发明的另一实施方式，一种半导体存储器装置可包括：多条位线，其电联接到存储器单元阵列并在第一方向上延伸；多个位线触点焊盘，其形成在基板上方的第一平面上并分别通过位线触点联接到多条位线；以及多个第一触点焊盘，其形成在第一平面上，分别通过再分配线联接到多个位线触点焊盘，并通过第一触点电联接到设置在基板上的页缓冲器电路。在与第一方向交叉的第二方向上设置成一行的多个第一触点焊盘之间的距离可大于在第二方向上设置成一行的多个位线触点焊盘之间的距离。

在本发明的另一实施方式中，一种半导体存储器装置可包括：存储器单元阵列；多条位线，其设置在存储器单元阵列上方并在第一方向上延伸；页缓冲器电路，其设置在存储器单元阵列下方的基板上，并通过位线联接到存储器单元阵列；以及多条联接线，其形成在页缓冲器电路和存储器单元阵列之间的第一平面上，并且将页缓冲器电路和位线电联接。各条联接线可包括通过位线触点联接到对应位线的位线触点焊盘以及通过再分配线联接到位线触点焊盘的第一触点焊盘，并且在与第一方向交叉的第二方向上设置成一行的至少两个位线触点焊盘所对应的至少两个第一触点焊盘可在第一方向上设置成一行。

对于本领域技术人员而言，本发明的这些和其它特征和优点将从以下参照附图的详细描述变得显而易见。

附图说明

图1是示出根据实施方式的半导体存储器装置的示例的框图。

图2是示意性地示出根据实施方式的半导体存储器装置的示例的布局图。

图3是示意性地示出根据实施方式的半导体存储器装置的示例的立体图。

图4是示出图3的页缓冲器电路的示意性布局的示例的图。

图5是示出根据实施方式的半导体存储器装置的布线层的部分的示例的布局图。

图6是沿着图5的线A-A’截取的横截面图。

图7是沿着图5的线B-B’截取的横截面图。

图8是示出根据实施方式的半导体存储器装置的布线层的部分的示例的布局图。

图9是示出图1所示的存储器单元阵列的部分的示例的电路图。

图10是示意性地示出包括根据实施方式的半导体存储器装置的存储器系统的简化框图。