[发明专利]一种能够改善空穴传输能力的半导体发光器件在审
| 申请号： | 201811525569.4 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN111326626A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 李建华;李全杰;刘向英 | 申请（专利权）人： | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/20 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 毋雪 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 能够 改善 空穴 传输 能力 半导体 发光 器件 | ||
1.一种能够改善空穴传输能力的半导体发光器件，其特征在于，包括：
衬底层(11)；
缓冲层(12)，位于所述衬底层(11)上；
N型半导体层(13)，位于所述缓冲层(12)上；
N型掺杂层(14)，位于所述N型半导体层(13)上；
量子阱发光层(15)，位于所述N型掺杂层(14)上；
功能层(16)，位于所述量子阱发光层(15)上，其中，所述功能层(16)包括依次层叠于量子阱发光层(15)上的电子阻挡层(161)、第一空穴注入层(162)和第二空穴注入层(163)，其中，所述第一空穴注入层(162)的厚度小于所述第二空穴注入层(163)的厚度；
P型掺杂层(17)，位于所述功能层(16)上；
P型半导体层(18)，位于所述P型掺杂层(17)上。
2.根据权利要求1所述的半导体发光元器件，其特征在于，所述电子阻挡层(161)的材料为Alx1InyGa1-x1-yN，其中，0x1≤0.4，0y≤0.2。
3.根据权利要求1所述的半导体发光元器件，其特征在于，所述电子阻挡层(161)的厚度为100-200nm。
4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述第一空穴注入层(162)为P型InGaN层。
5.根据权利要求1所述的半导体发光元器件，其特征在于，所述第一空穴注入层(162)的厚度为20-100nm。
6.根据权利要求1所述的半导体发光元器件，其特征在于，所述第二空穴注入层(163)为P型AlGaN层。
7.根据权利要求1所述的半导体发光元器件，其特征在于，所述第二空穴注入层(163)的厚度为100-200nm。
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