[发明专利]一种发光二极管

说明书

本发明涉及一种发光二极管，包括衬底层；缓冲层，位于所述衬底层上；低温氮化镓层，位于所述缓冲层上；非故意掺杂氮化镓层，位于所述低温氮化镓层上；超晶格层，位于所述非故意掺杂氮化镓层上；N型半导体层，位于所述超晶格层上；N型掺杂层，位于所述N型半导体层上；量子阱发光层，位于所述N型掺杂层上；电子阻挡层，位于所述量子阱发光层上；P型掺杂层，位于所述电子阻挡层上；P型半导体层，位于所述P型掺杂层上。本发明的发光二极管中设置有低温氮化镓层、非故意掺杂氮化镓层、氮化镓超晶格层和超晶格插入层，从而提高了发光二极管的发光质量。

技术领域

本发明涉及发光元件技术领域，特别是涉及一种发光二极管。

背景技术

随着科技技术的发展，发光二极管(Light Emitting Diode，简称：LED)芯片已广泛应用于照明、指示、显示和背光源中。

目前，发光二极管一般包括衬底层、缓冲层、N型半导体层、多量子阱发光层、P型半导体层。其中，N型半导体层用于提供电子；P型半导体层用于提供空穴，当有电流通过时，N型半导体层提供的电子和P型半导体层提供的空穴进入多量子阱发光层复合发光。

但是，目前的发光二极管还存在缺陷多等问题，发光质量还需进一步提高，以免影响进入高端应用市场。

发明内容

因此，为解决现有技术存在的技术缺陷和不足，本发明提出一种发光二极管。

具体地，本发明一个实施例提出的一种发光二极管，包括：

衬底层；

缓冲层，位于所述衬底层上；

低温氮化镓层，位于所述缓冲层上；

非故意掺杂氮化镓层，位于所述低温氮化镓层上；

超晶格层，位于所述非故意掺杂氮化镓层上；

N型半导体层，位于所述超晶格层上；

N型掺杂层，位于所述N型半导体层上；

量子阱发光层，位于所述N型掺杂层上；

电子阻挡层，位于所述量子阱发光层上；

P型掺杂层，位于所述电子阻挡层上；

P型半导体层，位于所述P型掺杂层上。

在本发明的一个实施例中，所述低温氮化镓层的厚度为20-60nm。

在本发明的一个实施例中，所述非故意掺杂氮化镓层的厚度为50-100nm。

在本发明的一个实施例中，所述超晶格层为氮化铝镓超晶格层。

在本发明的一个实施例中，所述超晶格层的厚度为50-100nm。

在本发明的一个实施例中，所述N型半导体层为AlGaN层。

本发明实施例，具备如下优点：

本发明的发光二极管中设置有低温氮化镓层、非故意掺杂氮化镓层、氮化镓超晶格层和超晶格插入层，从而提高了发光二极管的发光质量。

通过以下参考附图的详细说明，本发明的其它方面和特征变得明显。但是应当知道，该附图仅仅为解释的目的设计，而不是作为本发明的范围的限定，这是因为其应当参考附加的权利要求。还应当知道，除非另外指出，不必要依比例绘制附图，它们仅仅力图概念地说明此处描述的结构和流程。

附图说明

下面将结合附图，对本发明的具体实施方式进行详细的说明。

图1为本发明实施例提供的一种发光二极管的结构示意图。