[发明专利]栅驱动集成电路

说明书

本发明提供了一种栅驱动集成电路。在栅驱动集成电路中，通过在第二漏区和第一漏区之间设置过渡区，以利用过渡区使高电压能够分散在一较长的距离中，而避免高电压被施加到低压区域中，有利于提高栅驱动集成电路的耐压性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种栅驱动集成电路。

背景技术

高压栅驱动集成电路是电力电子器件技术与微电子技术相结合的产物，是机电一体化的关键元件。高压栅驱动集成电路的应用很广，如应用于电子镇流器、马达驱动、调光以及各种电源模块等。

高压栅驱动集成电路通常包括高压侧驱动控制模块、低压侧驱动控制模块以及电平移位模块。其中，低压侧驱动控制模块在常规电压下工作，作为控制信号部分；高压侧驱动控制模块主要包括高压控制信号部分；而电平移位模块则用于实现低压侧控制信号向高压侧驱动控制模块传递。因而在实现这些功能时，通常希望所述栅驱动集成电路具备较高的耐压性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种栅驱动集成电路，以提高现有的栅驱动集成电路的耐压性能。

为解决上述技术问题，本发明提供一种栅驱动集成电路，包括：

衬底，所述衬底中形成有第一掺杂类型的外延层；

场效应晶体管，包括形成在所述外延层中的第二掺杂类型的源区、第二掺杂类型的过渡区、第二掺杂类型的第二漏区和第二掺杂类型的第一漏区，所述第二漏区和所述第一漏区之间间隔所述过渡区，所述过渡区的两个端部分别连接至所述第二漏区和所述第一漏区，并且所述第二漏区、所述过渡区和所述第一漏区的离子掺杂浓度依次增加，所述源区位于所述第二漏区远离所述过渡区的一侧。

可选的，所述栅驱动集成电路还包括：第二掺杂类型的第一深埋区，所述第一漏区形成在所述第一深埋区中。

可选的，所述过渡区靠近所述第一漏区的端部与所述第一深埋区连接。

可选的，所述栅驱动集成电路还包括：第二掺杂类型的第一缓冲区，所述第一缓冲区形成在所述第一深埋区中，所述第一漏区形成在所述第一缓冲区中，并且所述第一缓冲区的离子掺杂浓度介于所述第一漏区的离子掺杂浓度和所述第一深埋区的离子掺杂浓度之间。

可选的，所述过渡区靠近所述第一漏区的端部延伸至所述第一缓冲区，以和所述第一缓冲区连接，并且所述第一缓冲区的离子掺杂浓度介于所述第一漏区的离子掺杂浓度和所述过渡区的离子掺杂浓度之间。

可选的，所述栅驱动集成电路还包括：

第二掺杂类型的第一连接区和第二掺杂类型的第二连接区，所述第一连接区设置在所述源区靠近所述过渡区的一侧，所述第二连接区设置在所述源区远离所述过渡区的一侧；

第二掺杂类型的第二深埋区，位于所述源区的下方并与所述源区间隔设置，并且所述第二深埋区沿着源区至过渡区方向的两个端部还分别连接所述第一连接区和所述第二连接区。

可选的，所述过渡区靠近所述第二漏区的端部与所述第一连接区连接，以及所述第一连接区还与所述第二漏区连接。

可选的，所述第二深埋区中形成有第一掺杂类型的反型掩埋区，所述反型掩埋区从所述第二深埋区靠近所述源区的上边界至所述第二深埋区的内部扩展。

可选的，所述反型掩埋区还从所述第二深埋区的中间区域横向扩展至所述第一连接区和所述第二连接区。

可选的，所述栅驱动集成电路还包括：第一掺杂类型的第一接触区，所述第一接触区位于所述第二连接区和所述源区之间。

可选的，所述栅驱动集成电路还包括：第一掺杂类型的第二接触区，所述第二接触区位于所述第二连接区远离所述源区的一侧。