[发明专利]栅驱动集成电路及其形成方法

权利要求书

1.一种栅驱动集成电路，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底中形成有第一掺杂类型的漂移区；

场效应晶体管，所述场效应晶体管包括第一掺杂类型的漏区、第一掺杂类型的源区和栅极结构，所述栅极结构形成在所述衬底的表面上并位于所述源区和所述漏区之间；

第二掺杂类型的阱区，所述阱区和所述漏区均形成在所述漂移区中，所述源区位于所述阱区中，以及所述栅极结构靠近所述源区的端部部分遮盖部分所述阱区；

场板结构，形成在所述衬底上并位于所述栅极结构和所述漏区之间，所述场板结构具有一连续延伸的第一导电层，所述第一导电层以所述漏区为中心螺旋环绕所述漏区，使所述第一导电层以远离所述漏区并朝向所述源区的方向螺旋延伸；以及，

第二掺杂类型的体区，形成在所述漂移区中，并位于所述栅极结构和所述场板结构之间，以及在所述体区内还形成有第二掺杂类型的第一接触区，所述第一接触区的离子掺杂浓度大于所述体区的离子掺杂浓度，并且所述第一接触区和所述场板结构靠近栅极结构的端部连接至同一互连线。

2.如权利要求1所述的栅驱动集成电路，其特征在于，还包括：

场氧化层，所述场氧化层部分嵌入至所述衬底中，并位于所述栅极结构和所述漏区之间，以及所述场板结构形成在所述场氧化层上。

3.如权利要求1所述的栅驱动集成电路，其特征在于，还包括：

第二掺杂类型的表面场弱化区，所述表面场弱化区位于所述栅极结构和所述漏区之间并对应在所述场板结构下方的衬底中。

4.如权利要求3所述的栅驱动集成电路，其特征在于，所述体区位于所述栅极结构和所述表面场弱化区之间。

5.如权利要求4所述的栅驱动集成电路，其特征在于，所述体区在朝向所述漏区的方向还扩展至所述表面场弱化区，并和所述表面场弱化区连接。

6.如权利要求1所述的栅驱动集成电路，其特征在于，所述栅极结构靠近所述漏区的端部部分遮盖所述体区。

7.如权利要求1所述的栅驱动集成电路，其特征在于，所述衬底包括第二掺杂类型的基底和形成在所述基底上的第一掺杂类型的外延层，作为所述漂移区。

8.如权利要求7所述的栅驱动集成电路，其特征在于，还包括：

第二掺杂类型的环形隔离区，所述隔离区贯穿所述外延层至所述基底中，以将所述隔离区围绕出的衬底区域界定为器件区域，所述场效应晶体管、所述阱区和所述场板结构均形成在所述器件区域中。

9.如权利要求8所述的栅驱动集成电路，其特征在于，还包括：

第二掺杂类型的缓冲区，所述缓冲区部分形成在所述隔离区中并以朝向所述场板结构的方向延伸至所述器件区域中，并且所述缓冲区的离子掺杂浓度小于所述隔离区的离子掺杂浓度。

10.如权利要求9所述的栅驱动集成电路，其特征在于，所述缓冲区还扩展至所述阱区，以和所述阱区连接。

11.一种栅驱动集成电路的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，并在所述衬底中形成第一掺杂类型的漂移区；

在所述衬底上形成场板结构和栅极结构，所述场板结构具有一连续延伸的第一导电层，所述第一导电层螺旋环绕，所述栅极结构位于所述场板结构的外围；

在所述漂移区中形成第二掺杂类型的阱区，所述阱区形成在所述栅极结构远离所述场板结构的一侧；

在所述漂移区中形成第二掺杂类型的体区，所述体区位于所述栅极结构和所述场板结构之间，以及在所述体区内还形成有第二掺杂类型的第一接触区，所述第一接触区的离子掺杂浓度大于所述体区的离子掺杂浓度；

在所述漂移区中形成第一掺杂类型的漏区，所述漏区对应在所述场板结构的中心位置，以及在所述阱区中形成第一掺杂类型的源区；以及，

形成互连线，所述第一接触区和所述场板结构靠近栅极结构的端部连接至同一互连线。