[发明专利]栅驱动集成电路及其形成方法

说明书

本发明提供了一种栅驱动集成电路及其形成方法。栅驱动集成电路中其场板结构的多个第一导电层在单一结构层中单层排布，使场板结构构成单层场板结构。以及，单层场板结构中的多个第一导电层能够沿着从漏区至源区的方向依次耦合以实现耦合分压，进而改善器件的耐压性能；并且单层场板结构其制备工艺更为简洁，并且还能够大降低了场板结构和衬底之间的台阶高度差，从而有利于实现器件尺寸的缩减。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种栅驱动集成电路及其形成方法。

背景技术

高压栅驱动集成电路是电力电子器件技术与微电子技术相结合的产物，是机电一体化的关键元件。高压栅驱动集成电路的应用很广，如应用于电子镇流器、马达驱动、调光以及各种电源模块等。

高压栅驱动集成电路通常包括高压侧驱动控制模块、低压侧驱动控制模块以及电平移位模块。其中，低压侧驱动控制模块在常规电压下工作，作为控制信号部分；高压侧驱动控制模块主要包括高压控制信号部分；而电平移位模块则用于实现低压侧控制信号向高压侧驱动控制模块传递。

目前，栅驱动集成电路中，通常设置有漂移区并在对应所述漂移区的衬底上形成有场板结构，以避免在对漏区施加高电压时，避免强电场聚集在漏区附近。然而，现有的场板结构通常包括多级导电层，多级导电层在所述衬底的表面上依次堆叠，从而使所构成的场板结构具有较大的厚度(即，场板结构的顶表面相对于衬底表面而言具备较大的高度)，这将导致场板结构和衬底表面之间存在较大的台阶高度差(step high)。如此，不仅会对后续工艺的执行造成不利影响；并且还应当认识到，在形成依次堆叠的多级导电层时，随着台阶高度差的不断增加，则在工艺条件的限制下(例如，沉积工艺的覆盖性能、光刻工艺和刻蚀工艺的精度限制等)，容易导致所形成的导电层的尺寸不断增加，同时还会使形成于导电层上方的接触孔的尺寸增加，这进一步会导致所构成的半导体器件的整体尺寸较大而不利于实现芯片尺寸的缩减，同时多级导电层的形成也大大增加了产品的制备成本。

发明内容

本发明的目的在于提供一种栅驱动集成电路，以解决现有的栅驱动集成电路其尺寸无法缩减，从而导致对应的芯片尺寸较大且制备成本较高的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种栅驱动集成电路，包括：

衬底，所述衬底中形成有第一掺杂类型的漂移区，所述漂移区从所述衬底的顶表面往所述衬底的内部延伸；

场效应晶体管，所述场效应晶体管包括第一掺杂类型的漏区、第一掺杂类型的源区和栅极结构，所述栅极结构形成在所述衬底上并位于所述源区和所述漏区之间；

第二掺杂类型的阱区，所述阱区和所述漏区均形成在所述漂移区中，所述源区位于所述阱区中，以及所述栅极结构靠近所述源区的端部部分遮盖部分所述阱区；以及，

场板结构，形成在所述衬底上并位于所述栅极结构和所述漏区之间，所述场板结构具有多个相互分隔的第一导电层，多个所述第一导电层位于同一结构层中并沿着从所述漏区至所述源区的方向依次呈单层排布。

在本发明提供的栅驱动集成电路中，通过设置场板结构，以避免漏区处出现电场集中的问题，并且场板结构中的多个第一导电层在单一结构层中呈现单层排布，即场板结构为单层场板结构。相比于传统的多级场板结构而言，单层场板结构不仅可使其制备方法简化、制备成本更低；并且形成单层场板结构时，一方面可使所形成的单层场板结构相比于多级场板结构的厚度尺寸更小，另一方面还可使单层场板结构中第一导电层的宽度尺寸相较于多级场板结构中导电层的宽度尺寸也更小，由此即可大大缩减栅驱动集成电路的尺寸。

同时，基于单层场板结构中各个第一导电层具备更小的宽度尺寸，因此能够进一步增加单层场板结构中耦合电容的数量，从而在针对特定的高压时分压至各个耦合电容中的电压也更小，此时即使采用更小尺寸的第一导电层仍能够满足分压需求，进而有利于实现第一导电层尺寸的进一步缩减。