[发明专利]栅驱动集成电路

权利要求书

1.一种栅驱动集成电路，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底中形成有第一掺杂类型的掺杂层；

场效应晶体管，包括形成在所述掺杂层中的第二掺杂类型的源区、第二掺杂类型的过渡区、第二掺杂类型的第二漏区和第二掺杂类型的第一漏区，所述第二漏区和所述第一漏区之间间隔所述过渡区，所述过渡区的两个端部分别连接至所述第二漏区和所述第一漏区，并且所述第二漏区、所述过渡区和所述第一漏区的离子掺杂浓度依次增加，所述源区位于所述第二漏区远离所述过渡区的一侧；

第二掺杂类型的轻掺杂区，所述轻掺杂区围绕在所述源区的外围，并且所述轻掺杂区的离子掺杂浓度低于所述源区的离子掺杂浓度；

第二掺杂类型的第一连接区和第二掺杂类型的第二连接区，所述第一连接区设置在所述轻掺杂区靠近所述过渡区的一侧，所述第二连接区设置在所述轻掺杂区远离所述过渡区的一侧；以及，

第二掺杂类型的第二深埋区，位于所述轻掺杂区的下方并与所述轻掺杂区间隔设置，所述第二深埋区沿着源区至过渡区方向的两个端部还分别连接所述第一连接区和所述第二连接区。

2.如权利要求1所述的栅驱动集成电路，其特征在于，还包括：第二掺杂类型的第一深埋区，所述第一漏区形成在所述第一深埋区中。

3.如权利要求2所述的栅驱动集成电路，其特征在于，所述过渡区靠近所述第一漏区的端部与所述第一深埋区连接。

4.如权利要求2所述的栅驱动集成电路，其特征在于，还包括：

第二掺杂类型的第一缓冲区，所述第一缓冲区形成在所述第一深埋区中，所述第一漏区形成在所述第一缓冲区中，并且所述第一缓冲区的离子掺杂浓度介于所述第一漏区的离子掺杂浓度和所述第一深埋区的离子掺杂浓度之间。

5.如权利要求4所述的栅驱动集成电路，其特征在于，所述过渡区靠近所述第一漏区的端部延伸至所述第一缓冲区，以和所述第一缓冲区连接，并且所述第一缓冲区的离子掺杂浓度介于所述第一漏区的离子掺杂浓度和所述过渡区的离子掺杂浓度之间。

6.如权利要求1所述的栅驱动集成电路，其特征在于，所述第二深埋区靠近所述第二漏区的端部与所述第一连接区连接，以及所述第一连接区还与所述第二漏区连接。

7.如权利要求1所述的栅驱动集成电路，其特征在于，所述第二深埋区中形成有第一掺杂类型的反型掩埋区，所述反型掩埋区从所述第二深埋区靠近所述轻掺杂区的上边界至所述第二深埋区的内部扩展。

8.如权利要求7所述的栅驱动集成电路，其特征在于，所述反型掩埋区还从所述第二深埋区的中间区域横向扩展至所述第一连接区和所述第二连接区。

9.如权利要求1所述的栅驱动集成电路，其特征在于，还包括：

第一掺杂类型的第一接触区，所述第一接触区位于所述第二连接区和所述轻掺杂区之间。

10.如权利要求1所述的栅驱动集成电路，其特征在于，还包括：

第一掺杂类型的第二接触区，所述第二接触区位于所述第二连接区远离所述轻掺杂区的一侧。

11.如权利要求1所述的栅驱动集成电路，其特征在于，还包括：

第一场板结构，形成在所述衬底的表面上并位于所述第二连接区远离所述轻掺杂区的一侧。

12.如权利要求1所述的栅驱动集成电路，其特征在于，还包括：

栅极结构，形成在所述衬底的表面上，并位于所述源区和所述第二漏区之间。

13.如权利要求1所述的栅驱动集成电路，其特征在于，还包括：

第二场板结构，形成在所述衬底的表面上并位于所述过渡区靠近所述第二漏区的端部上。