[发明专利]一种晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种晶体管终端结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供第一导电类型的衬底；

在所述衬底上表面形成第一导电类型的外延层；

在所述外延层上表面形成注入区；

在所述注入区上表面形成第一沟槽；

在所述外延层及所述第一沟槽上表面形成第一氧化层；

在所述第一沟槽内形成多晶硅层；

在所述多晶硅层上表面形成若干第二沟槽；

在所述外延层及所述多晶硅层上表面形成第二氧化层和接触孔；

在所述晶体管上表面形成贯穿所述第二氧化层的源极金属层。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述外延层上表面形成注入区具体包括，通过离子注入工艺在所述外延层上表面形成注入区，并对所述注入区进行热驱入工艺，用于扩散所述注入区。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述注入区上表面形成第一沟槽具体包括，通过刻蚀工艺在所述注入区上表面形成第一沟槽。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述外延层及所述第一沟槽上表面形成第一氧化层之前具体包括，在所述外延层及所述第一沟槽上表面形成牺牲氧化层并通过刻蚀去除，用于消除所述第一沟槽上表面的损伤。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述多晶硅层上表面形成若干第二沟槽具体包括，通过刻蚀工艺在所述多晶硅上表面形成若干第二沟槽，所述多晶硅层形成多个环状的多晶硅柱。

6.一种晶体管，其特征在于，包括:

第一导电类型的衬底；

第一导电类型的外延层，形成于所述衬底上表面；

注入区，形成于所述外延层上表面；

第一沟槽，形成于所述注入区上表面；

第一氧化层，形成于所述外延层及所述第一沟槽上表面；

多晶硅层，形成于所述第一沟槽内；

若干第二沟槽，形成于所述多晶硅层上表面；

第二氧化层和接触孔，形成于所述外延层及所述多晶硅层上表面；

源极金属层，形成于所述晶体管上表面并贯穿所述第二氧化层。

7.根据权利要求6所述的晶体管，其特征在于，所述第一沟槽形成于所述注入区上表面内部，所述第一沟槽宽度小于所述注入区宽度。

8.根据权利要求6所述的晶体管，其特征在于，所述多晶硅层通过干法回刻，所述多晶硅层上表面与所述外延层上表面平齐。

9.根据权利要求6所述的晶体管，其特征在于，所述第二沟槽宽度相同，由所述第二沟槽分割的所述多晶硅层形成若干多晶硅柱，所述多晶硅柱宽度相同。

10.根据权利要求6所述的晶体管，其特征在于，所述源极金属层形成于所述晶体管上表面并与所述多晶硅层连接。