[发明专利]集成电路封装和形成有穿塑孔晶圆级芯片尺寸封装的方法

权利要求书

1.一种形成晶圆级芯片尺寸封装的方法，包括以下步骤：

提供一集成电路晶圆，该集成电路晶圆图案化成具有功能性电子电路，并覆盖有一钝化绝缘层，该钝化绝缘层具有多个开口，以允许接入集成电路的多个输入/输出触点；

将一介电材料涂层施加到该集成电路晶圆上；

形成一重分布层的多个开口位置于该介电材料中；

形成该重分布导电层在该介电聚合物层上，以通过在该介电层和该钝化层中的所述多个开口与形成在该集成电路晶圆表面上的该集成电路的所述多个输入/输出触点接触；

形成多个对准标记，所述多个对准标记设置在该集成电路晶圆的边缘上；

将一聚合物基膜施加于该集成电路晶圆表面；

在该聚合物基膜上进行压缩膜塑；

在该模塑过程之后，对所述多个对准标记曝光；

在用以连接到第二级封装的一输入/输出连接器的位置处，形成一穿塑孔(TMV)于该聚合物基膜中；

将该输入/输出连接器设置于该穿塑孔(TMV)中；及

将该输入/输出连接器附加到该重分配层。

2.如权利要求1所述的方法，其中该输入/输出连接器为焊球，该回流制程是形成该焊球的焊料的焊料回流。

3.如权利要求1所述的方法，其中该输入/输出连接器为铜柱，该铜柱涂覆有一焊膏，且该焊膏被回流，以将该铜柱与该重分布导电层的接垫表面连接。

4.如权利要求1所述的方法，还包括将一背面膜固定到该集成电路晶圆的背面，以防止刮擦或破裂。

5.如权利要求4所述的方法，其中固定该背面膜包括将聚合物基膜施加到该集成电路晶圆的背面的步骤。

6.如权利要求4所述的方法，其中该背面膜为热固性塑料。

7.如权利要求6所述的方法，其中该热固性塑料是环氧化物。

8.如权利要求4所述的方法，其中该背面膜为具有高的玻璃转化温度(Tg)的聚合物，该玻璃转化温度要高到足以防止该聚合物基膜在该集成电路晶圆的一集成电路芯片的工作温度内软化。

9.如权利要求8所述的方法，其中该玻璃转化温度的范围为约80℃至约150℃。

10.如权利要求1所述的方法，其中形成该重分布导电层包括以下步骤：

将设置于该介电材料涂层上的一种晶层材料进行溅射；

通过旋涂一光阻涂层到该集成电路晶圆上，将该种晶层材料特征化；

对该光阻曝光和显影，以定义出重分布导电层图案；

将该种晶层上的一导电金属层电镀至该重分布层的目标厚度；

通过剥除制程和化学蚀刻来移除该光阻材料，以去除不需要的种晶层；及

使用电浆处理来清洁该钝化层和重分布导电层的表面。

11.如权利要求10所述的方法，其中该种晶层为钛(TI)或铜(Cu)。

12.如权利要求10所述的方法，其中该电镀的导电金属层为铜或铝。

13.如权利要求1所述的方法，其中介电材料是光敏聚合物。

14.权利要求13所述的方法，是聚酰亚胺(PI)、聚苯并恶唑(PBO)或苯并环丁烯(BCB)。

15.如权利要求1所述的方法，其中该聚合物基膜为热固性塑料。

16.如权利要求15所述的方法，其中该热固性塑料为环氧化物。

17.如权利要求15所述的方法，其中该聚合物基膜具有高的玻璃转化温度(Tg)，该玻璃转化温度要高到足以防止该聚合物基膜软化。