[发明专利]晶圆级晶粒尺寸封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种晶圆级晶粒尺寸封装结构，其特征在于，包括：

多个重分布层线路，其经由一第一聚合物层的多个开口连接于一硅晶圆，其中该多个开口贯穿该第一聚合物层以供该多个重分布层线路电性连接于该硅晶圆的一上表面的金属焊垫；

多个球金属底层，其中每一该球金属底层经由一第二聚合物层的开口连接一该重分布层线路，该第二聚合物层设置于该第一聚合物层之上；

多个焊锡接点，每一该焊锡接点设置于一该球金属底层之上；

一金属电镀层，设置于该第一聚合物层之下，且该金属电镀层并未与任一该重分布层线路接触；以及

至少一隔绝对象，其设置于该多个重分布层线路其中的至少二者之间。

2.如权利要求1所述的晶圆级晶粒尺寸封装结构，其特征在于，设置于该多个重分布层线路其中的至少二者之间的该至少一隔绝对象包括一金属栅栏，其设置于两个邻近该重分布层线路之间，且该金属栅栏电性导通于该金属电镀层。

3.如权利要求2所述的晶圆级晶粒尺寸封装结构，其特征在于，该金属栅栏的材质包括：铜、金、铝、或者是以铜、金、铝所形成的合金。

4.如权利要求2所述的晶圆级晶粒尺寸封装结构，其特征在于，该金属栅栏的材质包括：铜、金、铝、或者是以铜、金、铝所形成的具有聚合物核心的合金。

5.如权利要求2所述的晶圆级晶粒尺寸封装结构，其特征在于，该金属栅栏的形状选自由锥形、长方形、以及圆柱形所组成的群组。

6.如权利要求2所述的晶圆级晶粒尺寸封装结构，其特征在于，该金属栅栏的宽度最小为2微米，该金属栅栏的高度最小为15微米。

7.如权利要求1所述的晶圆级晶粒尺寸封装结构，其特征在于，设置于该多个重分布层线路其中的至少二者之间的该至少一隔绝对象包括多个气隙，其设置于两个邻近该重分布层线路之间，且该多个气隙并未电性导通于该金属电镀层。

8.如权利要求7所述的晶圆级晶粒尺寸封装结构，其特征在于，该多个气隙的形状选自由沟槽、狭缝、以及缺口所组成的群组。

9.如权利要求1所述的晶圆级晶粒尺寸封装结构，其特征在于，该至少一隔绝对象环绕设置于一该重分布层线路或多条该重分布层线路的周围。

10.如权利要求1所述的晶圆级晶粒尺寸封装结构，其特征在于，该至少一隔绝对象隔绝一该重分布层线路或多条该重分布层线路与其邻近该重分布层线路间的干扰。

11.如权利要求1所述的晶圆级晶粒尺寸封装结构，其特征在于，该金属电镀层包括在该硅晶圆的一保护层上电镀有铜、金、铝、或者是以铜、金、铝所形成的合金，一重合距离为由该金属电镀层的开口至该保护层的开口间的距离，该重合距离至少为10微米，该硅晶圆的一硅晶边缘上具有一密封环，由该密封环至该金属电镀层间的距离为一间距，该间距大于或等于25微米，该金属电镀层的厚度最大可为2微米。

12.如权利要求1所述的晶圆级晶粒尺寸封装结构，其特征在于，该第一聚合物层与该第二聚合物层的材质包括聚酰亚胺或聚苯恶唑，且该第一聚合物层与该第二聚合物层的厚度大于或等于7.5微米。

13.如权利要求1所述的晶圆级晶粒尺寸封装结构，其特征在于，该多个重分布层线路的厚度介于4至25微米之间，该多个球金属底层的厚度介于8至25微米之间。