[发明专利]一种激光焊接功率半导体芯片的方法

权利要求书

1.一种激光焊接功率半导体芯片的方法，其特征在于，它包括：

a.焊接芯片(2)与散热衬底(3)

将第一焊料片(5)放置于散热衬底(3)与芯片(2)之间，发射激光瞬间加热散热衬底(3)使第一焊料片(5)熔化将芯片(2)与散热衬底(3)焊接，激光的焊接时间为10-15毫秒；

b.焊接跳线(1)与芯片(2)

将第二焊料片(7)放置于跳线(1)与芯片(2)之间，调节第二激光束(8)在跳线(1)远离芯片(2)的一侧聚焦且在跳线(1)上的光斑直径不超过跳线(1)范围，所述第二激光束(8)的光斑直径为跳线(1)在与芯片(2)对应一端表面上最大内接圆直径的0.8-0.9倍，跳线(1)与芯片(2)对应的一端设有圆形的连接头(10)，所述第二焊料片(7)为圆形且直径为连接头(10)直径的0.8-0.9倍，发射激光瞬间加热跳线(1)使第二焊料片(7)熔化将跳线(1)与芯片(2)焊接，激光的焊接时间为10-15毫秒；

c.焊接跳线(1)与引脚(4)

将跳线(1)紧贴在引脚(4)上，发射激光将跳线(1)和引脚(4)共晶焊接。

2.如权利要求1所述激光焊接功率半导体芯片的方法，其特征在于，所述步骤a中，焊接芯片(2)与散热衬底(3)之前，调节第一激光束(6)在散热衬底(3)远离芯片(2)的一侧聚焦且在散热衬底(3)上的光斑直径完全覆盖第一焊料片(5)。

3.如权利要求1所述激光焊接功率半导体芯片的方法，其特征在于，所述步骤c中，焊接跳线(1)与引脚(4)之前，调节第三激光束(9)的激光焦点位于跳线(1)表面。

4.如权利要求1所述的激光焊接功率半导体芯片的方法，其特征在于，步骤a中，所述第一焊料片(5)与芯片(2)形状对应并将芯片(2)覆盖。

5.如权利要求3所述的激光焊接功率半导体芯片的方法，其特征在于，步骤c中，沿跳线(1)长度方向间隔发射第三激光束(9)形成多个焊点，将跳线(1)和引脚(4)共晶焊接。

6.如权利要求1所述的激光焊接功率半导体芯片的方法，其特征在于，所述步骤a中采用的激光功率1400-1550W，脉宽8-12mS；步骤b中采用的激光功率800-1200W、脉宽2-7mS；步骤c采用的激光功率2000-3000W、脉宽5-9mS。