[发明专利]一种激光掺杂选择性发射结及其制作方法

说明书

本申请公开了一种激光掺杂选择性发射结的制作方法，通过对初步扩散发射结进行局部激光照射，以得到预处理发射结；去除预处理发射结表面的掺杂源，以得到二次处理发射结；利用预设质量分数的碱溶液，沿激光照射方向对二次处理发射结的表面进行腐蚀，腐蚀高度为预设高度，以得到激光掺杂选择性发射结。通过激光照射使预处理发射结的被照射区域表面掺杂浓度高于未被照射区域，去除表面掺杂源，用预设质量分数的碱溶液，将二次处理发射结的表面腐蚀掉预设高度，导致未被照射区域表面的掺杂浓度降低，而被照射区域表面的掺杂浓度仍然较高，即实现不同区域表面的掺杂浓度独立调节。本申请还提供一种具有上述优点的激光掺杂选择性发射结。

技术领域

本申请涉及太阳电池技术领域，特别是涉及一种激光掺杂选择性发射结及其制作方法。

背景技术

太阳电池是一种可以将太阳能转换成电能的光伏组件，为社会提供所需的能源，有效缓解能源短缺和环境污染方面的问题。为了提高太阳电池的光电转换效率，激光掺杂选择性发射结技术被越来越多的光伏企业引用。

激光掺杂选择性发射结的轻掺杂高方阻区域要求要有较低的表面浓度。激光选择性局部照射后，被照射的区域形成重掺杂低方阻区域，被照射的区域的磷杂质重新分布。由于缺少足够多的额外的磷杂质源，这种磷杂质重新分布的结果导致表面浓度降低，见图1的磷杂质浓度分布曲线图。激光掺杂后的发射结的方阻只能降低20-50ohm/sq之间，即从原来的100-150ohm/sq降低至80-100ohm/sq。

可见，激光掺杂选择性发射结被照射区域和未被照射区域存在极强的关联性，能独立地控制激光掺杂选择性发射结的被照射区域的表面浓度和未被照射区域的表面浓度。然而，为了进一步降低太阳电池的金属电极和被照射区域之间的接触电阻，提升太阳电池的填充因子，又要求与金属电极接触的被照射区域磷浓度尽可能地提高。这样就限制了太阳电池转换效率的提升。

发明内容

本申请的目的是提供一种激光掺杂选择性发射结及其制作方法，以实现独立地控制激光掺杂选择性发射结的被照射区域的表面浓度和未被照射区域的表面浓度。

为解决上述技术问题，本申请提供一种激光掺杂选择性发射结的制作方法，包括：

对初步扩散发射结进行局部激光照射，以得到预处理发射结；

去除所述预处理发射结表面的掺杂源，以得到二次处理发射结；

利用预设质量分数的碱溶液，沿激光照射方向对所述二次处理发射结的表面进行腐蚀，腐蚀高度为预设高度，以得到激光掺杂选择性发射结。

可选的，所述沿激光照射方向对所述二次处理发射结进行腐蚀包括：

沿激光照射方向对所述二次处理发射结的表面均匀地进行腐蚀。

可选的，所述预设高度的取值范围为20nm-150nm，包括端点值。

可选的，所述预设质量分数的取值范围为1‰-5％，包括端点值。

可选的，所述碱溶液的温度取值范围为15℃-50℃，包括端点值。

可选的，所述沿激光照射方向对所述二次处理发射结的表面进行腐蚀时，腐蚀时间的取值范围为10s-5min，包括端点值。

可选的，当所述掺杂源为磷硅玻璃时，所述去除所述预处理发射结表面的掺杂源，以得到二次处理发射结包括：

用氢氟酸溶液去除所述预处理发射结表面的磷硅玻璃，以得到二次处理发射结，所述氢氟酸溶液的质量分数取值范围为0.5％-5％，包括端点值。

可选的，在所述利用预设质量分数的碱溶液，沿激光照射方向对所述二次处理发射结进行腐蚀，腐蚀高度为预设高度，以得到激光掺杂选择性发射结之后还包括：