[发明专利]一种异质结太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种异质结太阳电池，其特征在于，包括：

衬底层；

位于所述衬底层第一表面的表面钝化层；

位于所述表面钝化层背离所述衬底层的表面的空穴选择性接触层，且所述空穴选择性接触层为宽带隙空穴选择性接触层；

位于所述空穴选择性接触层背离所述表面钝化层的表面的第一电极；

位于所述衬底层第二表面的本征层；

位于所述本征层背离所述衬底层的表面的掺杂层；

位于所述掺杂层背离所述本征层的表面的第二电极；

其中，所述第一表面与所述第二表面相对。

2.如权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述表面钝化层为宽带隙表面钝化层。

3.如权利要求1或2所述的异质结太阳电池，其特征在于，还包括：

位于所述宽带隙空穴选择性接触层与所述第一电极之间的第一导电层；

和位于所述掺杂层与所述第二电极之间的第二导电层。

4.如权利要求3所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述宽带隙空穴选择性接触层的厚度取值范围为0.1nm-50nm，包括端点值。

5.如权利要求2所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述宽带隙表面钝化层的厚度取值范围为0.1nm-5nm，包括端点值。

6.如权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述第二电极为栅线电极。

7.一种异质结太阳电池制备方法，其特征在于，包括：

在所述衬底层第一表面形成表面钝化层；

在所述表面钝化层背离所述衬底层的表面形成宽带隙空穴选择性接触层；

在所述空穴选择性接触层背离所述表面钝化层的表面形成第一电极；

在所述衬底层第二表面形成本征层；

在所述本征层背离所述衬底层的表面形成掺杂层；

在所述掺杂层背离所述本征层的表面形成第二电极；

其中，所述第一表面与所述第二表面相对。

8.如权利要求7所述的异质结太阳电池制备方法，其特征在于，所述在所述衬底层第一表面形成表面钝化层包括：

在所述衬底层第一表面形成宽带隙表面钝化层。

9.如权利要求8所述的异质结太阳电池，其特征在于，还包括：

在所述宽带隙空穴选择性接触层与所述第一电极之间形成第一导电层；

和在所述掺杂层与所述第二电极之间形成第二导电层。

10.如权利要求7所述的异质结太阳电池，其特征在于，在所述衬底层第一表面形成表面钝化层之前还包括：

对所述衬底层的第一表面进行制绒。