[发明专利]光纤及其制备方法

权利要求书

1.一种光纤，其特征在于：由内而外依次包括单掺锗二氧化硅芯层、隔断层、单掺氟二氧化硅光学包层及外包层，所述隔断层用于防止单掺锗二氧化硅芯层中锗和单掺氟二氧化硅光学包层中氟相互扩散；其中所述单掺氟二氧化硅光学包层分为三层，从内到外依次为浅掺氟层、主掺氟层及辅掺氟层，所述浅掺氟层及辅掺氟层的折射率均大于所述主掺氟层的折射率。

2.根据权利要求1所述的光纤，其特征在于：所述隔断层、所述浅掺氟层、所述主掺氟层及所述辅掺氟层中相邻的每两层之间的折射率渐变变化，并控制每1μm内的折射率变化为0.03％～0.05％。

3.根据权利要求1所述的光纤，其特征在于：所述隔断层为纯SiO₂的隔断层。

4.根据权利要求1所述的光纤，其特征在于：所述单掺锗二氧化硅芯层的折射率为0.35％～0.45％，所述单掺锗二氧化硅芯层的半径为4.01μm～4.5μm。

5.根据权利要求1所述的光纤，其特征在于：所述隔断层的相对折射率为-0.01％～0.01％，其厚度为1.5μm～2μm。

6.根据权利要求1所述的光纤，其特征在于：所述浅掺氟层的折射率为-0.04％～-0.07％，厚度为2.5μm～4.2μm。

7.根据权利要求1所述的光纤，其特征在于：所述主掺氟层折射率为-0.08％～-0.15％，所述主掺氟层厚度为5μm～8.5μm。

8.根据权利要求1所述的光纤，其特征在于：所述辅掺氟层的折射率为-0.01％～-0.07％，厚度为2.5～4.2μm。

9.根据权利要求1所述的光纤，其特征在于：所述外包层为光纤的保护层，且所述外包层为纯SiO₂层；所述外包层的折射率为0～0.005％，其厚度为41.1μm～49.0μm。

10.一种光纤的制备方法，其用于权利要求1-8任一所述光纤的制备，其特征在于：包括以下步骤：

S1：制备掺锗纤芯层；

S2通过气相沉积法在掺锗纤芯层外周形成疏松体状态的预制隔断层，所述预制隔断层能够防止纤芯层中锗的扩散及预制单掺氟二氧化硅光学包层中氟的扩散；

S3在预制隔断层外周形成掺氟的预制单掺氟二氧化硅光学包层得到光纤预制棒，所述预制单掺氟二氧化硅光学包层分为三层进行堆积形成，其由内而外依次为预制浅掺氟层、预制主掺氟层及预制辅掺氟层，且最终得到的浅掺氟层及辅掺氟层的折射率均大于主掺氟层的折射率的单掺氟二氧化硅光学包层结构；

S4：将光学预制棒通过光纤熔融退火工艺及光纤涂覆固化工艺得到光纤。

11.根据权利要求10所述的光纤的制备方法，其特征在于：所述预制隔断层疏松体密度为0.3g/cm³以上。