[发明专利]一种基于紫光芯片激发用于降低蓝光危害的LED光源

权利要求书

1.一种基于紫光芯片激发用于降低蓝光危害的LED光源，其特征在于，包括引线支架(1)，所述引线支架(1)的内表面涂覆有镀银层，所述引线支架 (1)的内部底端设置有紫光芯片(2)，且引线支架(1)的内部填充有荧光胶(5)，所述引线支架 (1)的内部贴合荧光胶(5)的两侧面以及底面均涂覆有硫化液层(6)；

所述紫光芯片(2)的底部与引线支架(1)内部底端之间填充有固晶胶(3)，且紫光芯片(2)的上表面设置有两组金线(4)；

该LED光源的制作工艺包括固晶—焊线—点涂硫化液—一次烘烤—灌封荧光胶—二次烘烤工艺步骤，具体步骤如下：

步骤一：固晶，采用固晶胶(3)将紫光芯片(2)固定于引线支架(1)内部；

步骤二：焊线，采用高速焊线机将紫光芯片(2)的电极与引线支架(1)通过金线(4)进行连接；

步骤三：点涂硫化液，通过高速喷胶机将防硫化液喷涂到引线支架(1)内部的镀银层上；

步骤四：一次烘烤，将点涂完硫化液的引线支架(1)放入到烤箱内烘烤；

步骤五：灌封荧光胶(5)，通过高速喷粉机将荧光胶(5)喷入引线支架(1)内部的紫光芯片(2)的表面，LED光源组装成型；

步骤六：二次烘烤，将灌封后的LED光源放入烘烤箱中进行烘烤处理，烘烤完毕的LED光源封装成LED灯珠；

步骤二中所述的紫光芯片(2)的电极包括正极和负极，其中正极和负极分别连接一组金线(4)；

所述紫光芯片(2)的光谱范围为390nm～430nm；

步骤四中所述的烘烤温度为180℃，烘烤时间为30min；

步骤六中所述的烘烤温度和时间为80℃/1h-150℃/1h；

步骤五中所述的荧光胶(5)的成分和质量占比为：所述荧光胶(5)包含有蓝色荧光粉，黄绿色荧光粉，红色荧光粉，硅A胶和硅B胶，抗沉淀粉，其中，蓝色荧光粉的质量占比为20％～40％，黄绿色荧光粉的质量占比为10％～30％，红色荧光粉的质量占比为1％～10％，硅A胶的质量占比为20％～30％，硅B胶的质量占比为20％～30％，抗沉淀粉的质量占比为0.1％～0.3％，所述蓝色荧光粉、黄绿色荧光粉、红色荧光粉、硅A胶和硅B胶和抗沉淀粉的质量占比总和为1，所述蓝色荧光粉的成分和配比为(Sr,Ba)10(PO4)6Cl2:Eu，所述黄绿色荧光粉的成分和配比为：

(Si,Al)3(O,N)4:Eu/Lu3Al5O12:Ce/La3Si6N11:Ce/(Y,Gd)3Al5O12:Ce/(Y,Ge)3(Al,Ga)5O12，

所述红色荧光粉的成分和配比为CaAlSiN3:Eu/K2SiF6:Mn4+，所述硅A胶和硅B胶的主要成分均为聚二甲硅氧烷,所述硅A胶为催化胶，所述硅B胶为固化胶。