[发明专利]一种辐照腔中效应物内部场强的局部聚焦装置的构建方法有效

专利信息
申请号: 201811527813.0 申请日: 2018-12-13
公开(公告)号: CN109701162B 公开(公告)日: 2021-02-12
发明(设计)人: 胡龙;陈昌华;杜太焦;蔡利兵;郑奎松;朱湘琴;潘亚峰 申请(专利权)人: 西北核技术研究所
主分类号: G01R29/08 分类号: G01R29/08
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 胡乐
地址: 710024 陕*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 辐照 效应 内部 场强 局部 聚焦 装置 构建 方法
【权利要求书】:

1.一种辐照腔中效应物内部场强的局部聚焦装置的构建方法,包括以下步骤:

1)建立介质透镜模型

根据辐照腔和效应物的尺寸,在辐照腔内设置上、下两个双曲透镜,分别记为上凸透镜、下凸透镜,使其分别相应与上、下两个平行极板贴合;每个双曲透镜自身以y轴中心对称,并沿y轴向辐照腔工作空间中心凸起;效应物的局部聚焦位置沿y轴靠近上、下两个双曲透镜任一的凸起顶点,距离不超过30mm;具体按照以下过程确定介质透镜模型;

设坐标原点位于辐照腔工作空间的中心位置,x、y及z方向分别为工作空间的长度、高度及宽度方向,对于紧贴辐照腔工作空间上平行板的上凸透镜,设其凸起顶点处的坐标为(0,y0,0),f为透镜焦点到双曲面的单凸透镜顶点的距离,则xOz平面上构成透镜的双曲线上的点(x,y,0)与透镜的折射率n之间的关系为

在确定f后,根据(1)式,确定透镜的折射率n,进而得到介质透镜的相对介电常数εr=n2

另一方面,将(1)式改写为双曲线的表达式

式(2)中,a、b分别为双曲线实轴和虚轴的一半,且

对于确定的n和f,上凸透镜在xOz平面上的双曲线的实轴和虚轴的一半是确定的,根据(2)式,画出xOz平面上双曲线的一个分支;

将所述双曲线的一个分支绕着其实轴旋转360°,即得上凸透镜;

将上凸透镜关于y=0的平面作对称操作,即得下凸透镜;

2)确定最优透镜介质

介质透镜模型确定后,多次改变介质透镜相对介电常数εr的值,进行扫描计算,得出相对介电常数εr的最优解;

3)选取适宜介质匹配模型

根据相对介电常数εr的最优解,选取最接近的透镜材料制作上、下两个双曲透镜,按照步骤1)构建实际的装置。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西北核技术研究所,未经西北核技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811527813.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top