[发明专利]动态随机存取存储器结构及其制备方法

权利要求书

1.一种动态随机存取存储器结构，包括：

一基底；

一栅极结构，设置于该基底中；

一第一源极/漏极区及一第二源极/漏极区，分别设置于该基底中的该栅极结构的两侧；

一接触垫，设置于该第二源极/漏极区的上方；

多个导电柱，设置于该接触垫上；

一导电层，设置于多个所述导电柱的上方；以及

一介电层，设置于该导电层与多个所述导电柱之间，

其中多个所述导电柱具有至少一第一宽度及一第二宽度，该第一宽度与该第二宽度彼此不同。

2.如权利要求1所述的动态随机存取存储器结构，其中多个所述导电柱彼此分开至少一第一间距及一第二间距，该第一间距与该第二间距彼此不同。

3.如权利要求1所述的动态随机存取存储器结构，其中多个所述导电柱具有至少一第一形状及一第二形状，该第一形状与第二形状彼此不同。

4.如权利要求1所述的动态随机存取存储器结构，还包括一介电结构及一接触插塞，该接触插塞设置于该介电结构之中，其中该接触插塞电连接该第二源极/漏极区及该接触垫。

5.如权利要求1所述的动态随机存取存储器结构，还包括一位元线结构，该位元线结构设置于该第一源极/漏极区上方，其中该介电结构覆盖该位元线结构。

6.如权利要求1所述的动态随机存取存储器结构，其中多个所述导电柱的一延伸方向实质上垂直于该基底的一表面。

7.一种动态随机存取存储器结构的制备方法，包括：

提供一基底，该基底包括至少一主动区，至少一栅极结构，设置于该主动区中，一第一源极/漏极区及一第二源极/漏极区，设置于该栅极结构两侧的该主动区中；

形成一第一导电层于该基底的上方；

形成一第二导电层及一硬掩膜层于该第一导电层上方；

形成一半球形颗粒(hemispherical-grained，HSG)层于该硬掩膜层上方；

透过该半球形颗粒层图案化该硬掩膜以形成一硬掩膜图案于该第二导电层上方；以及

透过该硬掩膜图案蚀刻该第二导电层以形成多个导电柱于该基底的上方。

8.如权利要求7所述的制备方法，还包括形成该第二导电层之前移除该第一导电层的一部分以形成一接触垫。

9.如权利要求8所述的制备方法，还包括图案化该硬掩膜层之前移除该半球形颗粒层的一部分。

10.如权利要求7所述的制备方法，还包括移除多个所述导电柱中的若干个导电柱。

11.如权利要求10所述的制备方法，还包括移除多个所述导电柱中的若干个导电柱，并且移除该第一导电层的一部分以形成一接触垫。

12.如权利要求7所述的制备方法，还包括形成一介电层于多个所述导电柱的上方。

13.如权利要求12所述的制备方法，其中多个所述导电柱的一侧壁接触该介电层，多个所述导电柱的一顶表面通过该硬掩膜图案与该介电层分开。

14.如权利要求12所述的制备方法，还包括形成该介电层之前移除该硬掩膜图案。

15.如权利要求14所述的制备方法，其中多个所述导电柱的一顶表面及一侧壁接触该介电层，多个所述导电柱的该顶表面通过该硬掩膜图案与该介电层分开。

16.如权利要求12所述的制备方法，还包括形成一第三导电层于该介电层上方。