[发明专利]一种C/Si/SiOx 有效
| 申请号： | 201811528222.5 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN109616654B | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 许家齐;王辉;周勇岐;曹勇 | 申请（专利权）人： | 合肥国轩高科动力能源有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/48;H01M4/62 |
| 代理公司： | 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 | 代理人： | 汪贵艳 |
| 地址： | 230011 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 si sio base sub | ||
1.一种C/Si/SiOx材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
a、将第一碳源和SiOx粉料加入去离子水中，制成浆料后，将所述浆料中的水分挥发，制得前驱体混合物；
b、将所述前驱体混合物置于氮气或惰性气体中煅烧，制得C/SiOx材料；
c、将步骤b中的氮气或惰性气体换为氮气或惰性气体和硅烷气体混合气，继续煅烧，制得Si/C/SiOx材料；
d、将步骤c中的氮气或惰性气体和硅烷气体混合气换为氮气或惰性气体和第二碳源混合气，继续煅烧，制得C/Si/SiOx材料；
所述C/Si/SiOx材料包括内核的SiOx颗粒，所述SiOx颗粒的外层包覆有复合层，所述复合层由碳纤维或碳片和Si颗粒组成，所述复合层的外层包覆有碳层；
所述SiOx颗粒的粒径D50为5~10μm；
所述C/Si/SiOx材料的碳含量为质量分数为2%~8%。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤a中，所述第一碳源为聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)、聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)中的一种或两种的混合物，所述第一碳源和所述SiOx粉料的质量比为(3~5):100；所述浆料的固含量为30%~40%。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤a中，所述水分挥发的具体步骤为将所述浆料于90~95℃搅拌至水分完全挥发。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤b、c、d中的煅烧均为压力0.15~0.2MPa，800~950℃的回转炉中煅烧1~2h，所述回转炉的转速为0.3~1转/分钟。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤c中，所述氮气或惰性气体和硅烷气体的体积比为98:2~99:1。
6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤d中，所述第二碳源为乙炔，所述氮气或惰性气体和第二碳源的体积比为50:50~33:67。
7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤d中，所述第二碳源为天然气，所述氮气或惰性气体和第二碳源的体积比为50:50~33:67。
8.如权利要求1-7任一项所述的制备方法制备的C/Si/SiOx材料在用于制备锂离子电池中的应用。
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