[发明专利]一种含碳光致发黄光晶体的制备方法及其在白光LED中的应用

权利要求书

1.一种含碳光致发黄光晶体的制备方法，包括步骤如下：

(1)将邻苯二甲酸溶于甲酰胺中，得溶液I，加热，在120-270℃下反应，反应完毕，冷却得到混合体系；

(2)向步骤(1)得到的混合体系中加入去离子水，搅拌得到分散液；

(3)将步骤(2)得到的分散液透析提纯，取固体，干燥，得到含碳光致发黄光晶体。

2.根据权利要求1所述的含碳光致发黄光晶体的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的溶液I中邻苯二甲酸的浓度为0.05-0.6g/mL。

3.根据权利要求1所述的含碳光致发黄光晶体的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的反应温度为160-240℃；所述的反应时间为5-150min；所述的冷却为自然冷却至室温。

4.根据权利要求3所述的含碳光致发黄光晶体的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的反应时间为5-60min。

5.根据权利要求1所述的含碳光致发黄光晶体的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述的去离子水的加入体积与邻苯二甲酸的质量比为(10-30):1mL/g。

6.根据权利要求1所述的含碳光致发黄光晶体的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述的透析，采用截留分子量为100-2000Da的透析袋；

所述的透析时间为2-10天，进行透析提纯时，透析袋外的去离子水的置换频率为1-3次/天，直至渗出液无色时，透析结束，将透析袋内分散液过滤，得到固体。

7.根据权利要求1所述的含碳光致发黄光晶体的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述的干燥为真空干燥，干燥温度为30-50℃。

8.根据权利要求1-6任一项所述的制备方法得到的含碳光致发黄光晶体在白光LED中的应用，使用方法如下：

将含碳光致发黄光晶体研磨后溶于LED硅胶中，搅拌使其充分混匀，得胶水，将得到的胶水滴加在InGaN蓝光芯片上，将滴有胶水的芯片加热，胶水固化后即得白光LED。

9.根据权利要求8所述的应用，其特征在于，所述的含碳光致发黄光晶体与LED硅胶的质量比为1:(1-8)。

10.根据权利要求8所述的应用，其特征在于，所述的含碳光致发黄光晶体与LED硅胶的质量比为1:(1.2-3.2)。

11.根据权利要求8所述的应用，其特征在于，所述的加热温度为40-150℃；加热时间为30-300min。