[发明专利]显示面板及显示面板的制作方法有效
申请号: | 201811528424.X | 申请日: | 2018-12-13 |
公开(公告)号: | CN109712991B | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 周志伟;宋艳芹;李威龙;张露;胡思明;韩珍珍 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 广东君龙律师事务所 44470 | 代理人: | 丁建春 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 制作方法 | ||
本发明公开了一种显示面板及显示面板的制作方法,所述显示面板包括:基板;位于基板上的薄膜晶体管单元,薄膜晶体管单元包括连接显示面板电源的电源线,及连接显示面板补偿电路的第一侦测线;第一侦测线与电源线同层设置,且第一侦测线与电源线相邻;和/或第一侦测线与电源线不同层设置,且第一侦测线在基板上的正投影与电源线在基板上的正投影至少部分重叠。通过上述方式提高侦测精度,提高补偿电路的补偿效果。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种显示面板及显示面板的制作方法。
背景技术
OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED,PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED,AMOLED)两大类,即直接寻址和薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)矩阵寻址两类。其中,AMOLED具有呈阵列式排布的像素,属于主动显示类型,发光效能高,通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。在AOLED显示面板制造技术中,由于中大尺寸面板的面积较大、使其亮度均一性以及显示效果难以控制。同时,中大尺寸面板往往要求使用的周期长,这就对面板的寿命提出了更高的使用要求;然而,AOLED器件随着时间的变化老化严重,会导致寿命、亮度均一性、显示效果严重变差,无法满足使用周期。
现有技术中通常采用3T1C搭配外部补偿电路,实时侦测驱动TFT的阈值电压(Vth)与AMOLED衰减情况,实施补偿。具体将显示面板中的各个子像素的像素驱动电路通过侦测线电性连接到侦测IC上,以对Vth进行侦测,并根据侦测结果进行衰减补偿。现有技术中侦测线的设置往往会受到其他信号线的干扰,使得侦测精度不够,导致补偿效果差。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种显示面板及显示面板的制作方法,提高侦测精度,进而提高所述补偿电路对显示面板的补偿效果。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:
提供一种显示面板,包括:
基板;
位于所述基板上的薄膜晶体管单元,所述薄膜晶体管单元包括连接所述显示面板补偿电路的第一侦测线,以及连接所述显示面板电源的电源线;
所述第一侦测线与所述电源线同层设置,且所述第一侦测线与所述电源线相邻;和/或所述第一侦测线与所述电源线不同层设置,且所述第一侦测线在所述基板上的正投影与所述电源线在所述基板上的正投影至少部分重叠。
为解决上述技术问题,本发明采用的另一个技术方案是:
提供一种显示面板的制作方法,所述方法包括:
提供基板;
在所述基板上设置薄膜晶体管单元;
在所述薄膜晶体管单元中设置连接所述显示面板补偿电路的第一侦测线,和连接所述显示面板电源的电源线;
所述第一侦测线与所述电源线同层设置,且所述第一侦测线与所述电源线相邻;和/或所述第一侦测线与所述电源线不同层设置,且所述第一侦测线在所述基板上的正投影与所述电源线在所述基板上的正投影至少部分重叠。
本发明的有益效果是:区别于现有技术的情况,本发明通过在显示面板的薄膜晶体管单元中,将所述第一侦测线与所述电源线同层设置,且所述第一侦测线与所述电源线相邻;和/或将所述第一侦测线与所述电源线不同层设置,且所述第一侦测线在所述基板上的正投影与所述电源线在所述基板上的正投影至少部分重叠,以通过所述电源线屏蔽周边信号对所述第一侦测线的影响,提高侦测精度,进而提高所述补偿电路对显示面板的补偿效果。
附图说明
图1是本发明显示面板第一实施例的结构示意图;
图2是本发明显示面板第二实施例的结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的