[发明专利]一种制备涂层导体用高钨合金基带的方法在审
| 申请号： | 201811528780.1 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109576644A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 张晨曦;马麟;索红莉;崔瑾;纪耀堂;武鑫宇;刘敏;王毅 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/35;C23C14/56;C23C14/58;C23C16/14;C23C16/54;C23C16/56 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基带 高钨合金 合金基带 涂层导体 芯层 制备 置换 金属加工技术 扩散热处理 强立方织构 热处理 镀层表面 复合基带 均匀涂覆 立方织构 随炉冷却 氢气 纯钨层 固溶体 镍原子 钨原子 高钨 晶格 涂覆 钨层 织构 氩氢 渗入 保温 清洗 扩散 | ||
1.一种制备涂层导体用高钨合金基带的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)清洗Ni5W合金基带后，即合金基带中W元素的含量＝5at.％；采用物理或化学的方法在其外表面均匀涂覆厚度为100～200nm的纯钨层；
(2)将上述涂覆钨层的Ni5W合金基带在氩氢混合气氛或氢气的保护气氛下进行扩散热处理，热处理温度为1100～1200℃，保温时间2～3h，随炉冷却，得到高钨合金基带。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
对退火后的Ni5W基底先使用丙酮和无水乙醇分别超声清洗5min并吹干后，将基带转移至磁控溅射设备样品台中心部位，关闭磁控溅射进样室；然后进行抽真空，至背底气压为8×10-4Pa以下时，打开气路，对反应室通入氩气，同时对样品台加热至350℃，调节样品台转速为15r/min，以钨靶作为溅射靶材，溅射功率为100W，溅射时长为40min，在基底表面溅镀均匀致密的纯钨镀层；最后在H2体积分数为4％的氩氢混合气氛下进行扩散热处理，随炉升温至1100℃，保温时间为3h，随炉冷却。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
首先将Ni5W基底使用丙酮和无水乙醇分别超声清洗5min并吹干，其次将Ni5W基带放置到化学气相沉积装置的恒温加热区并抽真空至气压为1×10-4Pa以下后，打开气路，对其通入反应气，反应气体成分的体积比为WF：H2＝6：4，气流量控制在60sccm，在生长过程中保持流速稳定不变，同时对样品加热至600℃后，保温20min，在基底表面沉积均匀致密的纯钨层；最后在H2气氛下进行扩散热处理，随炉升温至1200℃，保温时间为2h，随炉冷却。
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